[發明專利]顯示設備在審
| 申請號: | 202010692926.7 | 申請日: | 2020-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN112242427A | 公開(公告)日: | 2021-01-19 |
| 發明(設計)人: | 樸注燦;李善熙;金善浩;金顯 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艷芳;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
1.一種顯示設備,具有顯示區域以及圍繞所述顯示區域布置的非顯示區域,所述顯示設備包括:
布置在所述顯示區域中的像素;以及
沿著所述像素的一方向布置的像素內彎曲區域。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,進一步包括:
圍繞所述像素中的每個布置的像素外彎曲區域。
3.根據權利要求1所述的顯示設備,進一步包括:
穿過所述像素的掃描線,
其中所述像素內彎曲區域在與所述掃描線相同的方向上延伸。
4.根據權利要求3所述的顯示設備,其中
所述像素中的每個包括第一晶體管和第三晶體管,并且
在平面圖中,所述像素內彎曲區域布置在所述第一晶體管與所述第三晶體管之間。
5.根據權利要求4所述的顯示設備,其中
所述第一晶體管包括第一半導體層和所述掃描線的第一柵電極,并且
所述第一半導體層在所述像素內彎曲區域中被斷開。
6.根據權利要求5所述的顯示設備,其中所述第一半導體層包括:
第一有源層;
布置在所述第一有源層的一側的第一電極;和
布置在所述第一有源層的另一側的第二電極,
其中所述第二電極在所述像素內彎曲區域中被斷開。
7.根據權利要求5所述的顯示設備,進一步包括:
第一基板;
布置在所述第一基板上的阻擋層;
布置在所述阻擋層上的緩沖層;
布置在所述緩沖層上的所述第一半導體層;
布置在所述第一半導體層上的絕緣層;以及
第一彎曲有機層,
其中所述第一彎曲有機層在所述像素內彎曲區域中穿透所述絕緣層和所述第一半導體層。
8.根據權利要求7所述的顯示設備,其中所述第一彎曲有機層進一步穿透所述緩沖層,并且布置在所述阻擋層的表面上。
9.根據權利要求8所述的顯示設備,其中所述第一彎曲有機層進一步穿透所述阻擋層,并且布置在所述第一基板的表面上。
10.根據權利要求7所述的顯示設備,其中
所述像素內彎曲區域進一步包括布置在所述第一彎曲有機層上的像素內連接線,并且
所述像素內連接線電連接被斷開的所述第一半導體層。
11.根據權利要求10所述的顯示設備,其中所述像素內連接線和所述掃描線包括不同的材料。
12.根據權利要求11所述的顯示設備,其中
所述像素內連接線包括鋁,并且
所述掃描線包含鉬。
13.根據權利要求10所述的顯示設備,其中所述像素內連接線在與所述像素內彎曲區域的延伸方向相交的方向上延伸。
14.根據權利要求2所述的顯示設備,其中
所述像素外彎曲區域布置在鄰近的像素之間。
15.根據權利要求14所述的顯示設備,進一步包括:
穿過所述像素的掃描線,
其中所述掃描線在所述像素外彎曲區域中被斷開。
16.根據權利要求15所述的顯示設備,進一步包括:
第一基板;
布置在所述第一基板上的阻擋層;
布置在所述阻擋層上的緩沖層;
布置在所述緩沖層上的所述掃描線;
布置在所述掃描線上的絕緣層;以及
第二彎曲有機層,
其中所述第二彎曲有機層在所述像素外彎曲區域中穿透所述絕緣層和所述掃描線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





