[發(fā)明專利]蝕刻方法、半導(dǎo)體制造裝置、及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010692644.7
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN112242301A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿部知央;佐佐木俊行;林久貴;大村光広;今村翼
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01J37/32
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張世俊

本發(fā)明涉及一種蝕刻方法、半導(dǎo)體制造裝置、及半導(dǎo)體裝置的制造方法。實(shí)施方式的蝕刻方法具備交替地切換第1步驟與第2步驟的工序，所述第1步驟中，不供給高頻電壓地導(dǎo)入包含氟原子的第1氣體，從而在以第1氣體的液化溫度以下的第1溫度冷卻的加工對象物的表面形成表面層，所述第2步驟中，導(dǎo)入不同于第1氣體的在第1溫度下為氣體狀態(tài)的第2氣體，并供給高頻電壓，從第2氣體產(chǎn)生等離子體并利用等離子體進(jìn)行濺鍍來蝕刻加工對象物。

相關(guān)申請案的引用

本申請案基于且主張2019年07月18日申請的先行的日本專利申請案第2019-132868號、及2020年03月12日申請的先行的日本專利申請案第2020-042953號的優(yōu)先權(quán)的利益，所述申請案的所有內(nèi)容通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種蝕刻方法、半導(dǎo)體制造裝置、及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

在三維存儲器等半導(dǎo)體裝置的制造方法中，已知有通過使用包含氫氟碳化合物的蝕刻氣體的蝕刻來在加工對象物形成開口的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

一實(shí)施方式提供一種具有更高的蝕刻速率的蝕刻方法。

實(shí)施方式的蝕刻方法具備交替地切換第1步驟與第2步驟的工序，所述第1步驟中，不供給高頻電壓地導(dǎo)入包含氟原子的第1氣體，從而在以第1氣體的液化溫度以下的第1溫度冷卻的加工對象物的表面形成表面層，所述第2步驟中，導(dǎo)入不同于第1氣體的在第1溫度下為氣體狀態(tài)的第2氣體，并供給高頻電壓，從第2氣體產(chǎn)生等離子體并利用等離子體通過濺鍍來蝕刻加工對象物。

根據(jù)所述構(gòu)成，能夠提供具有更高的蝕刻速率的蝕刻方法。

附圖說明

圖1是用來說明半導(dǎo)體裝置的制造方法例的流程圖。

圖2是表示加工對象物的結(jié)構(gòu)例的截面示意圖。

圖3是表示半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)成例的示意圖。

圖4是用來說明蝕刻方法例的時(shí)序圖。

圖5是用來說明第1步驟的截面示意圖。

圖6是用來說明由供給至加工對象物的氣體的狀態(tài)的差異所致的表面層的形狀的差異的截面示意圖。

圖7是用來說明由供給至加工對象物的氣體的狀態(tài)的差異所致的表面層的形狀的差異的截面示意圖。

圖8是用來說明第2步驟的截面示意圖。

圖9是用來說明存儲器層形成工序的截面示意圖。

圖10是用來說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的另一例的流程圖。

圖11是表示半導(dǎo)體制造裝置的另一構(gòu)成例的示意圖。

圖12是用來說明蝕刻方法的另一例的時(shí)序圖。

圖13是用來說明照射工序的截面示意圖。

圖14是用來說明照射工序的截面示意圖。

圖15是用來說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的另一例的流程圖。

圖16是表示半導(dǎo)體制造裝置的另一構(gòu)成例的示意圖。

圖17是用來說明保護(hù)工序的示例的時(shí)序圖。

圖18是用來說明第4步驟的截面示意圖。

圖19是用來說明第5步驟的截面示意圖。

圖20是用來說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的另一例的流程圖。

圖21是用來說明蝕刻方法的另一例的時(shí)序圖。