[發明專利]阻變存儲器及其驅動控制電路

有效

• 申請號: 202010692595.7
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN111863073B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 黃天輝;陳瑞隆;王丹云;劉美冬
• 申請（專利權）人: 廈門半導體工業技術研發有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 廈門創象知識產權代理有限公司 35232
• 代理人: 尤懷成

本發明公開了一種阻變存儲器的驅動控制電路，其包括：低壓驅動控制單元，所述低壓驅動控制單元根據寫入信號生成低壓驅動信號；高壓傳輸門單元，所述高壓傳輸門單元根據預設電源提供的高壓將所述低壓驅動信號施加至所述阻變存儲器中相應的阻變存儲單元，以對所述阻變存儲單元進行寫入操作。本發明實施例的驅動控制電路采用低壓器件和低壓信號來實現低壓驅動，從而可以大大減小SET/RESET驅動部分的占用面積，實現阻變存儲器的整體面積變小。本發明還公開了一種具有該驅動控制電路的阻變存儲器。

技術領域

本發明涉及存儲技術領域，特別涉及一種阻變存儲器的驅動控制電路以及一種具有該驅動控制電路的阻變存儲器。

背景技術

相關技術中，如圖1和圖2所示，雙極性阻變存儲器包括多個阻變存儲單元1，每個阻變存儲單元按照圖3所示的表格進行動作時，SET/RESET驅動部分2以及Y Select部分3必須使用耐壓較高的器件。

但是，耐壓較高的器件相對需要較大的占用面積，而隨著半導體存儲工藝的不斷向前發展，阻變存儲單元RRAM cell的面積會不斷進行微縮，這就導致在Y Select部分及SET/RESET驅動部分的PMOS/NMOS為高壓器件且不能微縮的情況下，與阻變存儲單元陣列的占比就越來越大，尤其是每一條位線BL都需要一組Y select及SET/RESET驅動器，在其無法跟著RRAM cell同步進行面積微縮時，導致阻變存儲器的面積不能變小。

發明內容

本發明旨在至少從一定程度上解決上述技術中的技術問題之一。為此，本發明的一個目的在于提出一種阻變存儲器的驅動控制電路，采用低壓器件和低壓信號來實現低壓驅動，從而可以大大減小SET/RESET驅動部分的占用面積，實現阻變存儲器的整體面積變小。

本發明的第二個目的在于提出一種阻變存儲器。

為達到上述目的，本發明第一方面實施例提出的一種阻變存儲器的驅動控制電路，包括：低壓驅動控制單元，所述低壓驅動控制單元根據寫入信號生成低壓驅動信號；高壓傳輸門單元，所述高壓傳輸門單元根據預設電源提供的高壓將所述低壓驅動信號施加至所述阻變存儲器中相應的阻變存儲單元，以對所述阻變存儲單元進行寫入操作。

根據本發明實施例的阻變存儲器的驅動控制電路，通過低壓驅動控制單元采用低壓信號和低壓器件輸出低壓驅動信號，僅需高壓傳輸門單元根據預設電源提供的高壓將低壓驅動信號施加至阻變存儲器中相應的阻變存儲單元，實現對阻變存儲單元進行寫入操作，使得原來需要全部采用高壓信號和高壓器件的電路可以大部分改用面積較小的低壓器件和低壓信號，從而可以大大減小SET/RESET驅動部分的占用面積，實現阻變存儲器的整體面積變小，便于實現阻變存儲器的微型化。

另外，根據本發明上述實施例提出的阻變存儲器的驅動控制電路還可以具有如下附加的技術特征：

可選地，根據本發明的一個實施例，所述的阻變存儲器的驅動控制電路，還包括隔絕高壓單元，所述隔絕高壓單元設置在所述低壓驅動控制單元與所述高壓傳輸門單元之間，以對所述預設電源提供的高壓進行隔絕。

可選地，根據本發明的一個實施例，所述高壓傳輸門單元包括：第一高壓PMOS管，所述第一高壓PMOS管的源極連接到所述預設電源，所述第一高壓PMOS管的柵極連接到SETB信號端，所述第一高壓PMOS管的漏極連接到所述阻變存儲單元的位線；第二高壓PMOS管，所述第二高壓PMOS管的源極連接到所述預設電源，所述第二高壓PMOS管的柵極連接到RESETB信號端，所述第二高壓PMOS管的漏極連接到所述阻變存儲單元的地線。