[發明專利]基于大氣壓冷等離子體微加工的人工仿生復眼制備方法

在審

• 申請號: 202010691423.8
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN111965738A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 楊斌;韓晴晴;翟玥琦;劉景全
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: G02B3/00
• 分類號: G02B3/00
• 代理公司: 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317
• 代理人: 徐紅銀;趙楠

1.一種基于大氣壓冷等離子體微加工的人工仿生復眼制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上旋涂一層光刻膠；

對所述光刻膠采用大氣壓冷等離子體射流刻蝕，經刻蝕后在所述光刻膠的上面得到平面凹陷陣列結構；

在得到所述平面凹陷陣列結構上表面制備脫模隔離層；

在所述脫模隔離層上旋涂一層光學透明材料，所述光學透明材料經固化后形成透明膜；

剝離固化后的所述透明膜，得到具有平面凸起陣列結構的復眼透鏡。

2.根據權利要求1所述的一種基于大氣壓冷等離子體微加工的人工仿生復眼制備方法，其特征在于：所述在襯底上旋涂一層光刻膠，其中，

所述襯底為硅；

所述光刻膠為正性光刻膠AZ50XT。

3.根據權利要求1所述的一種基于大氣壓冷等離子體微加工的人工仿生復眼制備方法，其特征在于：所述對光刻膠采用大氣壓冷等離子體射流刻蝕，其中，對所述光刻膠的刻蝕深度為所述光刻膠的厚度的1/4-1/3。

4.根據權利要求1所述的一種基于大氣壓冷等離子體微加工的人工仿生復眼制備方法，其特征在于：所述對光刻膠采用大氣壓冷等離子體射流刻蝕，其中，所述大氣壓冷等離子體是在1個標準大氣壓條件下產生的處于部分電離的非熱平衡狀態的等離子體；所述大氣壓冷等離子體的電離度在10^-7-10^-4之間，且電子溫度高于重粒子溫度。

5.根據權利要求1所述的一種基于大氣壓冷等離子體微加工的人工仿生復眼制備方法，其特征在于：所述對光刻膠采用大氣壓冷等離子體射流刻蝕，其中，大氣壓冷等離子體射流發生器采用單針電極射流源、環電極射流源、針-環電極射流源、板-板電極射流源或陣列射流源中任意一種形式。

6.根據權利要求1所述的一種基于大氣壓冷等離子體微加工的人工仿生復眼制備方法，其特征在于：所述對光刻膠采用大氣壓冷等離子體射流刻蝕，其中，在刻蝕過程中，工作氣體為He、Ar、Ar/O₂、He/O₂或者空氣中的任意一種。

7.根據權利要求1所述的一種基于大氣壓冷等離子體微加工的人工仿生復眼制備方法，其特征在于：所述對光刻膠采用大氣壓冷等離子體射流刻蝕，其中，在刻蝕過程中，通過三軸運動平臺實現任意路徑的軌跡掃描，實現大氣壓冷等離子體射流無掩膜微加工。

8.根據權利要求1所述的一種基于大氣壓冷等離子體微加工的人工仿生復眼制備方法，其特征在于：所述對光刻膠采用大氣壓冷等離子體射流刻蝕，其中，通過控制單點刻蝕時間來控制對所述光刻膠的刻蝕深度，保證刻蝕完成后所述光刻膠未被刻蝕完全，即刻蝕得到凹形結構最低處與所述襯底之間仍有光刻膠。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的一種基于大氣壓冷等離子體微加工的人工仿生復眼制備方法，其特征在于：所述剝離固化后的所述透明膜，得到具有平面凸起陣列結構的復眼透鏡之后包括：將得到所述復眼透鏡經熱變形后形成曲面人工仿生復眼。

10.根據權利要求1-8中任一項所述的一種基于大氣壓冷等離子體微加工的人工仿生復眼制備方法，其特征在于：所述光學透明材料為聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯或光固化樹脂中的任意一種。