[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202010691419.1 | 申請日: | 2020-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN112310151A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 金明花;樸晙皙;具素英;金兌相;文然建;樸根徹;林俊亨;全景辰 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 張曉;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括連接到掃描線和與掃描線交叉的數據線的像素,其中,像素包括:發光元件;驅動晶體管,被構造為根據從數據線施加的數據電壓控制供應到發光元件的驅動電流;以及第一開關晶體管,被構造為根據施加到掃描線的掃描信號將數據線的數據電壓施加到驅動晶體管。驅動晶體管包括:第一有源層,包括氧化物半導體;以及第一氧化物層,設置在第一有源層上并且包括氧化物半導體。第一開關晶體管包括包含氧化物半導體的第二有源層,第一氧化物層不設置在第二有源層上。
本申請要求于2019年7月31日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0093003號韓國專利申請的優先權和權益,該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。
技術領域
本公開的實施例的一個或更多個方面涉及一種顯示裝置,更具體地,涉及一種包括具有氧化物層的薄膜晶體管的顯示裝置。
背景技術
隨著多媒體的發展,顯示裝置的重要性已經增加。因此,已經使用了諸如有機發光顯示器(OLED)和液晶顯示器(LCD)的各種合適的顯示裝置。
用于在顯示裝置中顯示圖像的裝置包括諸如OLED面板和LCD面板的顯示面板。顯示裝置可以包括發光元件作為發光顯示面板。發光二極管(LE D)的示例包括使用有機材料作為熒光材料的有機LED和使用無機材料作為熒光材料的無機LED。
示例顯示裝置包括顯示面板、柵極驅動電路、數據驅動電路和時序控制器。顯示面板包括數據線、柵極線以及形成在數據線和柵極線的相交點(交叉點)處的像素。每個像素使用薄膜晶體管作為開關器件,并且在柵極信號被供應到柵極線時從數據線接收數據電壓。每個像素可以根據施加到像素的數據電壓以設定的或預定的亮度發光。
近來,已經發布了能夠以高分辨率(例如,以超高清晰度(UHD))顯示圖像的顯示裝置,并且已經開發了能夠以8KUHD的高分辨率顯示圖像的顯示裝置。UHD表示3840×2160的分辨率,8KUHD表示7680×4320的分辨率。
在高分辨率顯示裝置中,針對每個像素的驅動電流可以隨著像素的數量增加而減小,從而使每個像素的驅動晶體管的驅動電壓范圍減小。
發明內容
本公開的實施例的一個或更多個方面針對一種顯示裝置,該顯示裝置包括驅動晶體管和開關晶體管,驅動晶體管包括具有氧化物半導體的氧化物層,開關晶體管不包括(所述)氧化物層。
應該注意的是,本公開的目的不限于上面描述的目的,并且對于本領域技術人員而言本公開的其它目的將從以下描述中變得明顯。
本公開的一個或更多個示例實施例提供了一種顯示裝置,該顯示裝置包括連接到掃描線和與掃描線相交或交叉的數據線的像素,其中,像素包括:發光元件;驅動晶體管,被構造為根據從數據線施加的數據電壓控制供應到發光元件的驅動電流;以及第一開關晶體管,被構造為根據施加到掃描線的掃描信號將數據線的數據電壓施加到驅動晶體管。驅動晶體管包括:第一有源層,包括氧化物半導體;以及第一氧化物層,設置在第一有源層上并且包括氧化物半導體,第一開關晶體管包括包含氧化物半導體的第二有源層,其中,第一氧化物層不設置在第二有源層上。
在示例實施例中,第一有源層的氧化物半導體和第二有源層的氧化物半導體可以包括從銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、錫(Sn)和鉿(Hf)中選擇的至少一種。
在示例實施例中,第一氧化物層的氧化物半導體可以包括從銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、錫(Sn)和鉿(Hf)中選擇的至少一種。
在示例實施例中,第一有源層的氫含量可以比第二有源層的氫含量低,第一有源層的氧含量可以比第二有源層的氧含量高。
在示例實施例中,驅動晶體管可以包括:第一柵極絕緣層,設置在第一有源層上;以及第一柵電極,設置在第一柵極絕緣層上并且與第一有源層疊置,其中,第一氧化物層設置在第一柵電極與第一柵極絕緣層之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





