[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010691373.3 | 申請日: | 2020-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN112017947A | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姜東勛;李俊杰;周娜;李琳 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所;真芯(北京)半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619 | 代理人: | 佟林松 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
本申請涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法,具體是,提供半導(dǎo)體襯底,半導(dǎo)體襯底上有第一硬掩模層;形成芯軸圖案以及上方的第二硬掩模層;形成芯軸兩側(cè)的側(cè)墻;將所述第二硬掩模層去除。其中,所述第一硬掩模層與所述第二硬掩模層選用相互不同的材料,從而避免后續(xù)對第二硬掩模層進(jìn)行刻蝕去除的工序?qū)Φ谝谎谀赢a(chǎn)生不期望的損失而導(dǎo)致的尺寸偏移現(xiàn)象。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及半導(dǎo)體器件的制造方法,特別是一種多重圖形化的方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體制造工藝中,光刻(photolithography)是常用的一種圖形化方法。然而光刻工藝會限制所形成的圖形的最小節(jié)距(pitch),因而也限制了集成電路向更小尺寸、更高密度方向的發(fā)展。
多重圖形化技術(shù),包括雙重圖形化(Double Patterning Technology,DPT)、四重圖形化(Quadrable Patterning Technology)等,都是一種能夠使光刻工藝克服光刻分辨率極限的方法。例如,雙重圖形化主要包含兩種傳統(tǒng)的方法:微影-刻蝕-微影-刻蝕(Litho-Etch-Litho-Etch,LELE)和自對準(zhǔn)雙重圖形化(Self-aligned Double Patterning,SADP)。
然而,現(xiàn)有技術(shù)形成的雙重圖形容易發(fā)生變形,特別是側(cè)墻兩側(cè)的形狀深度不同,影響后續(xù)刻蝕目標(biāo)層形成的刻蝕圖形的準(zhǔn)確性。
發(fā)明內(nèi)容
本申請的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
根據(jù)一個或多個實施例,本申請公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法,包括:
提供半導(dǎo)體襯底,半導(dǎo)體襯底上有第一硬掩模層;
形成芯軸圖案以及上方的第二硬掩模層;
形成芯軸兩側(cè)的側(cè)墻;
將所述第二硬掩模層去除;
其中,所述第一硬掩模層與所述第二硬掩模層材料不同。
本申請的其他特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述,并且,部分地從說明書中變得顯而易見,或者,部分特征和優(yōu)點可以從說明書中推知或毫無疑義地確定,或者通過實施本申請實施例了解。本申請的目的和其他優(yōu)點可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
附圖說明
通過閱讀下文優(yōu)選實施方式的詳細(xì)描述,各種其他的優(yōu)點和益處對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實施方式的目的,而并不認(rèn)為是對本申請的限制。而且在整個附圖中,用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中:
圖1a-圖1g是本申請實施方式的雙重圖形化的制造方法中形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實施方式
下文將參照附圖更完全地描述本申請,在附圖中顯示本申請的實施例。然而,本申請不局限于在這里闡述的實施例。相反地,提供這些實施例以便徹底地并完全地說明,并完全地將本申請的范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中,為了清楚起見可能夸大了層和區(qū)域的厚度。全文中相同的數(shù)字標(biāo)識相同的元件。如這里所使用的,術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目的一個或多個的任何和所有組合。
這里所使用的術(shù)語僅僅是為了詳細(xì)的描述實施例而不是想要限制本申請。如這里所使用的,除非本文清楚地指出外,否則單數(shù)形式“一”、“該”和“所述”等也包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)當(dāng)理解的是說明書中使用的術(shù)語“包括”說明所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在,但是不排除一個或多個其他的特征、整體、步驟、操作、元件、部件、和/或其組合的存在或者增加。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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