[發(fā)明專利]多層陶瓷電子組件及其制造方法

有效

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• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN112309717B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設計）人: 金泰成;尹炯植;申旴澈;李濬云
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/232
• 分類號: H01G4/232;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 何巨;曹志博

本公開提供一種多層陶瓷電子組件及其制造方法。所述多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，包括介電層；以及第一內電極和第二內電極，設置在所述陶瓷主體內，并且設置為彼此相對，且所述介電層介于所述第一內電極和所述第二內電極之間。當所述介電層的平均厚度被稱為td，且所述介電層的厚度的標準偏差被稱為σtd，并且所述第一內電極和所述第二內電極的平均厚度被稱為te，且所述第一內電極和所述第二內電極中的任意層內電極的厚度的標準偏差被稱為σte時，所述任意層內電極的所述厚度的標準偏差與所述介電層的所述厚度的標準偏差的比σte/σtd滿足1.10≤σte/σtd≤1.35。

本申請要求于2019年8月2日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0094257號韓國專利申請的優(yōu)先權的權益，所述韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。

技術領域

本公開涉及一種多層陶瓷電子組件，更具體地，涉及一種具有優(yōu)異的可靠性的多層陶瓷電子組件及其制造方法。

背景技術

通常，使用陶瓷材料的電子組件(諸如電容器、電感器、壓電器件、壓敏電阻和熱敏電阻等)可包括：陶瓷主體，利用陶瓷材料形成；內電極，形成在陶瓷主體內；以及外電極，設置在陶瓷主體的表面上以連接到內電極。

在多層陶瓷電子組件中，多層陶瓷電容器包括：多個層疊的介電層；內電極，設置為彼此相對，且介電層介于內電極之間；以及外電極，電連接到內電極。

多層陶瓷電容器由于其小尺寸、高容量和易于安裝而被廣泛用作計算機、個人數(shù)字助理(PDA)、移動電話和其他移動通信設備的組件。

近來，根據(jù)具有高性能的電子設備的輕量化和小型化，對于電子組件也已有小型化以及具有高性能和高容量的需求。

特別地，同時實現(xiàn)小型化、高性能和高容量的方法是通過減小多層陶瓷電容器的介電層和內電極層的厚度來層疊大量的層。目前，介電層的厚度已經達到約0.6μm，并且正在進行介電層的減薄。

在這方面，內電極與電介質之間的界面接觸的區(qū)域連續(xù)不斷地增加；然而，由于金屬與陶瓷之間的低粘附性，因此金屬和陶瓷結合的區(qū)域易受分層和裂紋的影響。

由于分層和裂紋導致多層陶瓷電容器的耐濕可靠性的劣化，因此需要一種用于確保關于材料或結構的高可靠性的新方法來解決這樣的問題。

發(fā)明內容

本公開涉及一種多層陶瓷電子組件及其制造方法，更具體地，涉及一種具有優(yōu)異的可靠性的多層陶瓷電子組件及其制造方法。

根據(jù)本公開的一方面，一種多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，包括介電層；以及第一內電極和第二內電極，設置在所述陶瓷主體內，并且設置為彼此相對，且所述介電層介于所述第一內電極和所述第二內電極之間，其中，當所述介電層的平均厚度被稱為td，且所述介電層的厚度的標準偏差被稱為σtd，并且所述第一內電極和所述第二內電極的平均厚度被稱為te，且所述第一內電極和所述第二內電極中的任意層內電極的厚度的標準偏差被稱為σte時，所述任意層內電極的所述厚度的標準偏差與所述介電層的所述厚度的標準偏差的比(σte/σtd)滿足1.10≤σte/σtd≤1.35。

根據(jù)本公開的另一方面，一種多層陶瓷電子組件的制造方法包括：制備包括陶瓷粉末的陶瓷生片；使用包括導電金屬顆粒和添加劑的導電膏在所述陶瓷生片上形成內電極圖案；層疊其上形成有所述內電極圖案的所述陶瓷生片以形成陶瓷層疊體；并且燒制所述陶瓷層疊體以形成包括介電層和內電極的陶瓷主體，其中，當所述介電層的平均厚度被稱為td，且所述介電層的厚度的標準偏差被稱為σtd，并且所述內電極的平均厚度被稱為te，且所述內電極的厚度的標準偏差被稱為σte時，所述內電極的所述厚度的標準偏差與所述介電層的所述厚度的標準偏差的比(σte/σtd)滿足1.10≤σte/σtd≤1.35。

附圖說明

通過以下結合附圖進行的詳細描述，將更清楚地理解本公開的以上和其他方面、特征和優(yōu)點，在附圖中：