[發(fā)明專利]三維存儲器的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010680441.6
• 申請日: 2020-07-15
• 公開（公告）號: CN111785725B
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設計）人: 黃欣欣;楊永剛
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;陳麗麗

1.一種三維存儲器的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

形成第一堆疊層于襯底表面；

形成連接層于所述第一堆疊層背離所述襯底的表面，所述連接層中具有暴露所述第一堆疊層的開口；

沿所述開口刻蝕所述第一堆疊層，形成貫穿所述第一堆疊層的第一溝道孔，所述第一溝道孔的孔徑小于所述開口的寬度；

形成填充層于所述第一溝道孔和所述開口內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，形成連接層于所述第一堆疊層背離所述襯底的表面的具體步驟包括：

形成連續(xù)覆蓋的連接層于所述第一堆疊層背離所述襯底的表面；

形成掩膜層于所述連接層表面，所述掩膜層中具有暴露所述連接層的刻蝕窗口；

沿所述刻蝕窗口刻蝕所述連接層，于所述連接層中形成暴露所述第一堆疊層的所述初始開口；

擴大所述初始開口的寬度，形成所述開口。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，擴大所述初始開口的寬度的具體步驟包括：

沿所述刻蝕窗口選擇性刻蝕所述連接層，形成寬度大于所述刻蝕窗口寬度的所述開口。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，所述連接層的材料為氧化物材料；沿所述刻蝕窗口選擇性刻蝕所述連接層的具體步驟包括：

采用氫氟酸沿所述刻蝕窗口選擇性刻蝕所述連接層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，沿所述開口刻蝕所述第一堆疊層，形成貫穿所述第一堆疊層的第一溝道孔的具體步驟包括：

沿所述刻蝕窗口刻蝕所述第一堆疊層，形成貫穿所述第一堆疊層的第一溝道孔，所述第一溝道孔任意部位的孔徑均小于所述開口的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，形成貫穿所述第一堆疊層的第一溝道孔的具體步驟包括：

遮蓋部分的所述開口；

沿暴露的所述開口刻蝕所述第一堆疊層，形成貫穿所述第一堆疊層的第一溝道孔，所述第一溝道孔任意部位的孔徑均小于所述開口的寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，形成填充層于所述第一溝道孔和所述開口內(nèi)的具體步驟包括：

一次沉積填充材料于所述第一溝道孔內(nèi)、所述開口內(nèi)和所述連接層頂面，形成所述填充層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，還包括如下步驟：

去除覆蓋于所述連接層頂面的所述填充層，殘留的所述填充層與所述連接層的頂面平齊。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，形成填充層于所述第一溝道孔和所述開口內(nèi)之后，還包括如下步驟：

形成第二堆疊層于所述連接層背離所述第一堆疊層的表面，所述第二堆疊層中具有沿垂直于所述襯底的方向貫穿所述第二堆疊層、且與所述第一溝道孔對準的第二溝道孔；

沿所述第二溝道孔去除所述填充層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的三維存儲器的形成方法，其特征在于，沿所述第二溝道孔去除所述填充層的具體步驟包括：

采用一次刻蝕工藝沿所述第二溝道孔去除所述填充層。