[發明專利]一種能夠提升性能的耳機單體

在審

• 申請號: 202010680248.2
• 申請日: 2020-07-15
• 公開（公告）號: CN111885464A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 溫泓
• 申請（專利權）人: 深圳前海帕拓遜網絡技術有限公司
• 主分類號: H04R9/02
• 分類號: H04R9/02;H04R1/10
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

本發明公開了一種能夠提升性能的耳機單體，該能夠提升性能的耳機單體包括：磁路系統、膜片和音圈。磁路系統包括內磁路部和圍繞內磁路部設置外磁路部，內磁路部與外磁路部之間具有磁間隙，內磁路部內部形成第一聲腔，第一聲腔內設有填充件，填充件用于吸音；膜片位于磁路系統的一側；音圈的一端連接在膜片，音圈至少部分位于磁間隙中。該耳機單體在不增加整個耳機單體的高度的前提下，提升了耳機單體的低頻性能，降低了耳機單體的制造成本。

技術領域

本發明涉及耳機設備技術領域，尤其涉及一種能夠提升性能的耳機單體。

背景技術

耳機單體內部所有零部件邊緣形成封閉空間稱為耳機單體后腔。后腔體積的大小會直接決定了單體低頻的性能。一般來說后腔越大，低頻性能越好。目前的耳機單體往往由于單體后腔空間受限，導致低頻無法呈現更好的音質。現有技術中主要是通過增加耳機單體的全高來提升耳機單體的后腔容積，繼而提升耳機單體的低頻性能，但是這樣會增大耳機單體的體積，提升耳機單體的制造成本。

發明內容

本發明的目的在于提出一種能夠提升性能的耳機單體，該耳機單體在增加體積的情況下能夠較好地提升低頻性能。

為實現上述技術效果，本實施例的能夠提升性能的耳機的單體的技術方案如下：

本發明公開了一種能夠提升性能的耳機單體，包括：

磁路系統，所述磁路系統包括內磁路部和圍繞所述內磁路部設置外磁路部，所述內磁路部與所述外磁路部之間具有磁間隙，所述內磁路部內部形成第一聲腔，所述第一聲腔內設有填充件，所述填充件用于吸音；

膜片，所述膜片位于所述磁路系統的一側；以及，

音圈，所述音圈的一端連接在所述膜片，所述音圈至少部分位于所述磁間隙中。

可選地，所述內磁路部包括第一殼和第二殼，所述第一殼連接所述第二殼以限定出所述第一聲腔。

可選地，所述內磁路部靠近所述膜片的一端設有第一開口，所述第一開口連通所述第一聲腔；和/或，

所述內磁路部靠近所述膜片的一端設有第二開口，所述第二開口連通所述第一聲腔。

可選地，所述第一開口的邊緣設有第一內翻邊，所述第一內翻邊位于所述第一聲腔內；和/或，

所述第二開口的邊緣設有與第二內翻邊，所述第二內翻邊位于所述第一聲腔內。

可選地，所述填充件占據部分所述第一聲腔。

可選地，所述填充件形成通道，所述通道的兩端分別連通所述第一開口和所述第二開口。

可選地，所述填充件包括吸音棉塊和/或吸音顆粒。

可選地，所述能夠提升性能的耳機單體還包括：

格柵板，所述格柵板封蓋所述第一開口；和/或，

調音紙，所述調音紙封蓋所述第二開口。

可選地，所述內磁路部包括T型鐵，所述T型鐵包括：

基部，所述外磁路部與所述基部抵接；以及

突部，所述突部為所述基部靠近所述膜片的端面的局部隆起，所述磁間隙形成在所述突部與所述外磁路部之間；

所述第一聲腔包括位于所述突部的第一腔室和位于所述基部的第二腔室，所述第二腔室的寬度大于所述第一腔室的寬度。

可選地，所述能夠提升性能的耳機單體還包括：

華司，所述華司止抵在所述外磁路部靠近所述膜片的端面；

銅環，所述銅環止抵在所述華司靠近所述膜片的端面；