[發(fā)明專利]CIS器件的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010679937.1
• 申請日: 2020-07-15
• 公開（公告）號: CN111697016B
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 焦鵬;王曉日;程劉鎖
• 申請（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種CIS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在具有第一導(dǎo)電類型的襯底上定義像素區(qū)，所述像素區(qū)包括用于形成CIS器件的MOS管區(qū)域和光電二極管區(qū)域；

在所述光電二極管區(qū)域形成具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)，第一導(dǎo)電類型與第二導(dǎo)電類型相反；

在所述光電二極管區(qū)域的所述阱區(qū)表面和所述襯底表面形成富硅氧化層，所述富硅氧化層為具有不同折射率的雙層結(jié)構(gòu)，上層富硅氧化層的折射率小于下層富硅氧化層的折射率，所述上層富硅氧化層的厚度大于所述下層富硅氧化層的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底表面形成富硅氧化層，包括：

在所述襯底表面沉積第一層富硅氧化層；

在所述第一層富硅氧化層的上方沉積第二層富硅氧化層；

其中，所述第二層富硅氧化層的折射率小于所述第一層富硅氧化層的折射率，所述第一層富硅氧化層的厚度小于所述第二層富硅氧化層的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在形成所述富硅氧化層的過程中，通過控制硅烷的流量調(diào)節(jié)所述富硅氧化層的折射率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述光電二極管區(qū)域的阱區(qū)頂部形成具有第一導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述MOS管區(qū)域形成柵介質(zhì)層；

形成所述MOS管的柵極結(jié)構(gòu)；

在所述MOS管的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成柵極側(cè)墻。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述光電二極管區(qū)域形成具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)，包括：

通過離子注入工藝，在所述光電二極管區(qū)域形成具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述光電二極管區(qū)域的阱區(qū)頂部形成具有第一導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)，包括：

通過離子注入?yún)^(qū)域，在所述光電二極管區(qū)域的阱區(qū)頂部形成具有第一導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)。