[發明專利]密堆積膠體晶體膜的殼賦能垂直對準和精密組裝

在審

• 申請號: 202010675706.3
• 申請日: 2015-11-09
• 公開（公告）號: CN111725339A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 烏梅亞爾·納西姆;克勞斯·孔澤
• 申請（專利權）人: 索爾伏打電流公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 章蕾

1.一種形成納米線密堆積結構的方法，其包括：

提供包含具有晶種部分和納米線部分的納米線的納米線批料；

在第一液體溶劑中選擇性形成囊封納米線批料中所述納米線的一部分的第一殼，

在不同于所述第一溶劑的第二液體溶劑中形成囊封納米線批料中所述納米線的第二部分的第二功能區以形成納米線分散液，所述納米線分散液包含在第二液體中的納米線，其中所述第二功能區材料不同于所述第一殼材料；以及

在第三液體中提供所述納米線分散液，使得所述第二液體和所述第一液體形成液體/液體界面以在所述液體/液體界面處定向和對準所述納米線，其中所述納米線的所述對準垂直于所述界面，并且所述界面處個別納米線之間的間距由所述第一殼的厚度控制。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述納米線的所述定向由所述第一殼材料和所述第二功能區材料的配置和所述界面材料的性質決定，其中選擇所述界面材料，使得所述殼部分中的一者與所述界面材料的一者相互作用且另一殼部分或功能區與另一界面材料相互作用。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述經定向和對準的納米線轉移到固體襯底。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述納米線具有大體上單向定向。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述納米線是半導體納米線。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一殼包括介電殼。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述界面處個別納米線之間的間距由所述介電殼的厚度控制。

8.根據權利要求7所述的方法，其中選擇所述介電殼的厚度，使得如從一根納米線到的中點到另一根的中點所測量的所述納米線的平均間距大于200nm且小于700nm。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述介電殼的厚度為至少2nm，所述納米線部分包括半導體納米線部分，所述晶種部分包括金屬催化劑粒子。

10.根據權利要求6所述的方法，其中包含所述殼的所述納米線的縱橫比小于沒有殼的所述納米線的縱橫比。

11.根據權利要求6所述的方法，其中在所述納米線的噴霧外延工藝或MOCVD生長期間不形成所述介電殼。