[發明專利]處理基板的方法

在審

• 申請號: 202010672057.1
• 申請日: 2020-07-14
• 公開（公告）號: CN112233965A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 金度憲;崔基勛;許瓚寧;姜基文
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 侯志源

1.一種處理基板的方法，所述方法包括：

將超臨界流體供應到腔室中的處理空間，以使用所述超臨界流體處理所述處理空間中的所述基板，

其中，將處于第一溫度的所述超臨界流體、和處于比所述第一溫度高的第二溫度的所述超臨界流體供應到所述處理空間中，以使用各超臨界流體處理所述基板。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法包括重復地將處于所述第一溫度的所述超臨界流體供應至所述處理空間以處理所述基板、以及排放所述處理空間，從而處理所述處理空間中的所述基板，

其中，在處理所述基板的情況下、當排放所述處理空間時，將處于所述第二溫度的所述超臨界流體供應到所述處理空間。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述方法還包括在完成所述基板的處理后，使所述處理空間減壓，

其中，當使所述處理空間減壓時，將處于所述第二溫度的所述超臨界流體供應到所述處理空間，

其中，當使所述處理空間減壓時、供應到所述處理空間的、處于所述第二溫度的所述超臨界流體的每單位時間的供應量，小于在所述基板的處理期間、供應到所述處理空間的、處于所述第一溫度的所述超臨界流體的每單位時間的供應量。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，在所述基板的處理期間，當排放所述處理空間時、供應到所述處理空間的、處于所述第二溫度的所述超臨界流體的每單位時間的供應量，小于供應到所述處理空間的、處于第一溫度的所述超臨界流體的每單位時間的供應量。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括在完成所述基板的處理后，使所述處理空間減壓，

其中，當使所述處理空間減壓時，將處于所述第二溫度的所述超臨界流體供應到所述處理空間。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，在使所述處理空間減壓時，供應到所述處理空間的、處于所述第二溫度的所述超臨界流體的每單位時間的供應量，小于所述超臨界流體從所述處理空間的每單位時間的排放量。

7.根據權利要求1到6中任一項所述的方法，其中，所述基板的處理包括將所述基板上的有機溶劑溶解在所述超臨界流體中、以從所述基板去除所述有機溶劑的工藝。

8.根據權利要求1到6中任一項所述的方法，其中，所述超臨界流體為二氧化碳。

9.一種處理基板的方法，其中，所述方法包括：

將超臨界流體供應至腔室中的處理空間，以使用所述超臨界流體處理所述處理空間中的所述基板，

其中，所述方法還包括：

在將所述基板帶入到所述處理空間中之后、使所述處理空間加壓的加壓步驟；

將所述超臨界流體供應到所述處理空間、以使用所述超臨界流體處理所述基板的處理步驟；以及

在完成所述基板的處理之后、從所述處理空間排放所述超臨界流體的減壓步驟，

其中，在所述減壓步驟期間、在從所述處理空間排放所述超臨界流體的情況下，將所述超臨界流體供應到所述處理空間，

其中，在所述減壓步驟中供應到所述處理空間的所述超臨界流體的溫度，高于所述加壓步驟中供應到所述處理空間的所述超臨界流體的溫度。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，在所述減壓步驟中，所述超臨界流體的供應與所述減壓步驟的開始同時開始。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，在所述減壓步驟中，所述超臨界流體的供應在所述減壓步驟中間開始。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，在所述減壓步驟中，供應到所述處理空間的所述超臨界流體的每單位時間的供應量，小于所述超臨界流體從所述處理空間的每單位時間的排放量。