[發明專利]半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010668729.1
• 申請日: 2020-07-13
• 公開（公告）號: CN112563273A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 蘇國輝
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種半導體元件，包括：

一基底，具有多個第一區與多個第二區；

多個位元線接觸點以及多個電容接觸點，分別地設置在該多個第一區該多個第二區上；

多個著陸墊，分別地設置在該多個電容接觸點上，至少一著陸墊包括一電容栓塞的一突出部以及一第一間隙子，該第一間隙子設置在該突出部的一側壁上；

多個導電栓塞，分別地設置在該多個著陸墊上，其中該多個電容栓塞包括多個納米線、一導電襯墊以及一導體，該導電襯墊設置在該多個納米線上，該導體設置在多個所述電襯墊上；

多個位元線，分別地設置在該多個位元線接觸點上；以及

一電容結構，設置在該導電栓塞上。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第一間隙子包含硅化金屬，而該第一間隙子的一寬度大于該電容栓塞的一寬度。

3.如權利要求1所述的半導體元件，其中至少一位元線為一波形線，該波形線在兩個相鄰的電容接觸點之間延伸。

4.如權利要求1所述的半導體元件，還包括一第二間隙子，設置在該第一間隙子上，其中該第一間隙子包含多晶硅。

5.如權利要求4所述的半導體元件，其中該第二間隙子包含硅化金屬。

6.如權利要求1所述的半導體元件，其中至少一電容接觸點具有一頸部以及一頭部，該頭部位于該頸部上。

7.如權利要求6所述的半導體元件，其中該頭部的一上寬度大于該頭部的一下寬度，而該頭部具有一弧形側壁。

8.如權利要求6所述的半導體元件，其中該頸部的一上寬度與該頭部的一下寬度相同。

9.如權利要求6所述的半導體元件，其中該頭部具有一錐形輪廓。

10.如權利要求6所述的半導體元件，其中該頭部的上寬度大于該頸部的一上寬度。

11.一種半導體元件的制備方法，包括：

提供一基底，該基底具有多個第一區與多個第二區；

形成多個位元線接觸點分別在該多個第一區上；

形成多個位元線分別在該多個位元線接觸點上；

形成多個電容接觸點分別在該多個第二區上；

形成多個著陸墊分別在該多個電容接觸點上，其中至少一著陸墊包括一電容栓塞的一突出部以及一第一間隙子，該第一間隙子位于該突出部的一側壁上；

形成多個導電栓塞分別在該多個著陸墊上，其中該多個電容栓塞包括多個納米線、一導電襯墊以及一導體，該導電襯墊設置在該多個納米線上，該導體設置在該導電襯墊上；以及

形成一電容結構在該導電栓塞上；

其中至少一位元線為一波形線，該波形線在兩個相鄰電容接觸點之間延伸。

12.如權利要求11所述的半導體元件的制備方法，其中形成該導電栓塞包括：

形成多個觸媒點在該著陸墊上；

形成多個納米線從該多個觸媒點；

沉積一硅化物層以及一導體在該多個納米線上；以及

平坦化該多個納米線，以將該多個納米線整理成相同長度。

13.如權利要求11所述的半導體元件的制備方法，其中該第一間隙子包含硅化金屬。

14.如權利要求11所述的半導體元件的制備方法，還包括：形成多個第二間隙子在該多個第一間隙子上，其中該第一間隙子包含多晶硅。

15.如權利要求14所述的半導體元件的制備方法，其中該第二間隙子包含硅化金屬。

16.如權利要求11所述的半導體元件的制備方法，其中至少一電容接觸點具有一頸部以及一頭部，該頭部位于該頸部上，其中該頭部的一上寬度大于該頸部的一上寬度。