[發(fā)明專利]一種制備復(fù)合壓電薄膜的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010664898.8
• 申請(qǐng)日: 2020-07-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113921694A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉桂銀;王金翠;劉阿龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 濟(jì)南晶正電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L41/33
• 分類號(hào): H01L41/33;H01L41/312
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長(zhǎng)明;許偉群

1.一種制備復(fù)合壓電薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

采用離子注入和鍵合工藝制備鍵合體；

向所述鍵合體施加指向所述鍵合體的壓力并進(jìn)行熱處理，獲得從所述鍵合體上剝離而得的復(fù)合壓電薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述壓力均勻地施加于所述鍵合面上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，施加于所述鍵合面上壓力的壓強(qiáng)為2KPa～20KPa，優(yōu)選為5KPa～10KPa。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在獲得復(fù)合壓電薄膜后，還包括：

停止熱處理，冷卻制備體系；

待所述制備體系冷卻后，取出余料以及復(fù)合壓電薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，向所述鍵合體施加指向所述鍵合體的壓力并進(jìn)行熱處理包括：

將所述鍵合體放置于液相體系中；

通過(guò)對(duì)所述液相體系加熱實(shí)現(xiàn)對(duì)所述鍵合體進(jìn)行熱處理，直至所述余料層沿所述注入層剝離。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述液相體系在沸點(diǎn)下的飽和蒸氣壓小于133.32Pa。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，向所述鍵合體施加指向所述鍵合體的壓力并進(jìn)行熱處理包括：

將鍵合體放置于支撐板上，在所述鍵合體上方壓覆壓力板；

穿透所述支撐板以及所述壓力板對(duì)所述鍵合體加熱，直至所述余料層沿所述注入層剝離。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在剝離過(guò)程中，所述壓力板與所述支撐板可以固接，例如，通過(guò)螺栓固接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，向所述鍵合體施加指向所述鍵合體的壓力并進(jìn)行熱處理包括：

在所述余料層上制備第一彈性緩沖層；

在所述襯底晶片上制備第二彈性緩沖層，其中，第二彈性緩沖層與所述第一彈性緩沖層固接；

穿過(guò)所述第一彈性緩沖層和所述第二彈性緩沖層對(duì)所述鍵合體進(jìn)行熱處理，直至所述余料層沿所述注入層剝離。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一彈性緩沖層的厚度大于所述第二彈性緩沖層的厚度。