[發明專利]MEMS聲傳感器

在審

• 申請號: 202010664854.5
• 申請日: 2020-07-10
• 公開（公告）號: CN111787474A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 趙轉轉;柏楊
• 申請（專利權）人: 瑞聲科技（南京）有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04
• 代理公司: 深圳紫辰知識產權代理有限公司 44602
• 代理人: 萬鵬

1.一種MEMS聲傳感器，包括具有背腔的基底以及固定于所述基底的電容系統，所述電容系統包括振膜及與所述振膜相對且間隔設置的背極板，所述振膜和所述背極板之間形成絕緣間隙，其特征在于，所述背極板包括電極層及設于所述電極層朝向所述振膜一側的第一絕緣層，所述背極板上貫穿設有通孔，所述通孔包括貫穿所述電極層的第一通孔和貫穿所述第一絕緣層的第二通孔，所述第二通孔靠近所述振膜一側的孔徑大于所述第一通孔的孔徑。

2.根據權利要求1所述的MEMS聲傳感器，其特征在于，沿所述第一絕緣層至所述電極層方向，所述第二通孔的孔徑逐漸減小。

3.根據權利要求2所述的MEMS聲傳感器，其特征在于，在垂直于所述背極板的橫截面上，所述第二通孔的內壁為弧面，且所述第二通孔的內壁的曲率中心位于其朝向所述振膜的一側。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的MEMS聲傳感器，其特征在于，所述背極板還包括設于所述電極層背離所述振膜一側的第二絕緣層，所述通孔還包括貫穿所述第二絕緣層的第三通孔。

5.根據權利要求4所述的MEMS聲傳感器，其特征在于，所述第三通孔的孔徑小于所述第一通孔的孔徑。

6.根據權利要求5所述的MEMS聲傳感器，其特征在于，沿所述電極層至所述第二絕緣層的方向，所述第三通孔的孔徑逐漸減小。

7.根據權利要求5所述的MEMS聲傳感器，其特征在于，在垂直于所述背極板的橫截面上，所述第三通孔的內壁為弧面，且所述第三通孔的內壁的曲率中心位于其背離所述第三通孔的軸線的一側。

8.根據權利要求4所述的MEMS聲傳感器，其特征在于，所述第三通孔背離所述電極層一側的孔徑大于所述第一通孔的孔徑。

9.根據權利要求8所述的MEMS聲傳感器，其特征在于，沿所述電極層至所述第一絕緣層的方向，所述第三通孔的孔徑逐漸增大。

10.根據權利要求9所述的MEMS聲傳感器，其特征在于，在垂直于所述背極板的橫截面上，所述第三通孔的內壁為弧面，所述第三通孔的內壁的曲率中心位于其內壁背離所述振膜的一側。

11.根據權利要求4所述的MEMS聲傳感器，其特征在于，所述第一通孔與所述第二通孔相鄰處的孔徑相同，所述第一通孔和所述第三通孔相鄰處的孔徑相同。