[發(fā)明專利]一種顯示屏及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010661811.1 | 申請日: | 2020-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN111769048B | 公開(公告)日: | 2022-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫德瑞 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市雙禹盛泰科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;H01L25/16;H01L23/544;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京華際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11676 | 代理人: | 鐘延珍 |
| 地址: | 518100 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示屏 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種顯示屏及其制造方法,其利用第一襯底和第二襯底分別集成mini?LED和TFT,然后進行組裝形成顯示裝置,其可以分別制造分別測試;并且在第一襯底上形成有測試端,該測試端不僅是測試端子還是電連接第一襯底和第二襯底電路的連接部件,其測試位置緊鄰連接位置,保證測試準(zhǔn)確性,便于修復(fù)存在缺陷而無法正常運作的發(fā)光元件。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種顯示屏及其制造方法。
背景技術(shù)
目前,顯示設(shè)備在制造過程中常會使用到巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)被用來將大量的發(fā)光元件(例如發(fā)光二極管)轉(zhuǎn)置于電路基板上,接著使發(fā)光元件與電路基板上的像素電路電性連接。然而,就目前技術(shù)而言,因存在電路基板在修補程序中會被破壞的疑慮,故在轉(zhuǎn)置大量的發(fā)光元件于電路基板上之后,難以對存在缺陷而無法正常運作的發(fā)光元件進行修補,因而必須報廢丟棄有缺陷的裝置,使得生產(chǎn)良率不足。
發(fā)明內(nèi)容
基于解決上述問題,本發(fā)明提供了一種mini-LED顯示屏的制造方法,其包括以下步驟:
(1)提供第一襯底,在所述第一襯底的上表面上形成有多個焊盤,在所述第一襯底的下表面形成第一布線層;
(2)在所述第一襯底的下表面上倒裝多個mini-LED,并利用塑封層密封所述多個mini-LED,所述密封層包括倒梯形的多個密封塊,所述多個密封塊均包括第一傾斜側(cè)面;
(3)在所述第一襯底中形成多個通孔,所述多個通孔貫穿所述多個焊盤和所述第一布線層;
(4)提供第二襯底,在所述第二襯底的上表面上依次形成多個TFT層和粘合層,所述粘合層與所述多個TFT層之間包括第二布線層,所述粘合層中具有多個開口,所述多個開口露出所述第二布線層且與所述多個通孔一一對應(yīng);
(5)在所述多個TFT層和粘合層中形成倒梯形的多個開窗,所述多個開窗均包括第二傾斜側(cè)面;
(6)將第一襯底的下表面與所述粘合層壓合,使得所述多個密封塊分別滑入所述多個開窗中,其中所述第一傾斜側(cè)面與所述第二傾斜側(cè)面緊密貼合;
(7)通過所述多個通孔填充焊料形成多個焊料組件,所述多個焊料組件填充所述多個開口。
其中,所述多個TFT層中包括多個TFT,所述多個TFT的源極或漏極電連接至所述第二布線層。
其中,在步驟(6)中,所述多個密封塊的第一傾斜側(cè)面貼合到多個開窗的第二傾斜側(cè)面,然后所述多個密封塊逐步滑入所述多個開窗中,直至所述第一布線層貼合到所述粘合層上。
其中,在步驟(1)中,還包括在所述第一襯底的下表面形成介質(zhì)層,所述第一布線層形成于所述介質(zhì)層中,且所述第一布線層與所述介質(zhì)層具有齊平的表面。
其中,所述多個開窗的底面露出所述第二襯底,且所述多個密封塊與所述第二襯底之間留有一定的間隙。
其中,所述第一襯底為測試襯底,該測試襯底包括散熱襯底。
其中,所述第二襯底為透明襯底。
其中,所述密封層包括不同顏色的熒光材料。
其中,所述粘合層為熱固化材料。
本發(fā)明根據(jù)上述制造方法,還提供了一種顯示屏。
本發(fā)明利用第一襯底和第二襯底分別集成mini-LED和TFT,然后進行組裝形成顯示裝置,其可以分別制造分別測試;并且在第一襯底上形成有測試端,該測試端不僅是測試端子還是電連接第一襯底和第二襯底電路的連接部件,其測試位置緊鄰連接位置,保證測試準(zhǔn)確性,便于修復(fù)存在缺陷而無法正常運作的發(fā)光元件。
附圖說明
圖1-3為發(fā)光單元的制造示意圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





