[發明專利]存儲系統深度空閑電力模式

在審

• 申請號: 202010661027.0
• 申請日: 2020-07-10
• 公開（公告）號: CN112233709A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 梁卿;J·S·帕里
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G06F1/26;G06F1/3234
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及存儲系統深度空閑電力模式。公開了系統和方法，所述方法包含：在進入存儲系統的空閑電力模式之后的第一閾值時間之后，在未通過通信接口從主機裝置接收到命令的情況下，使用所述存儲系統的控制電路系統將存儲在所述存儲系統的易失性存儲器中的主機數據移動到所述存儲系統的非易失性存儲器并且使所述存儲系統的電力模式從空閑電力模式轉變為深度空閑電力模式，所述深度空閑電力模式具有低于所述空閑模式的第一電力水平的第二電力水平和高于所述空閑模式的第一退出時延的第二退出時延。所述控制電路系統可以進一步確定所述存儲系統準備好進入省電電力模式，并且使用與所述通信接口分離的單向電力狀態信號接口來提供對所述確定的指示。

技術領域

本公開涉及存儲系統深度空閑電力模式。

背景技術

存儲器裝置是為主機系統(例如，計算機或其它電子裝置)提供數據的電子存儲的半導體電路。存儲器裝置可以是易失性的或非易失性的。易失性存儲器需要電力來維持數據，并且包含如隨機存取存儲器(RAM)、靜態隨機存取存儲器(SRAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)或同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)等裝置。非易失性存儲器可以在未被供電時保留所存儲的數據，并且包含如閃速存儲器、只讀存儲器(ROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電阻可變存儲器(如相變隨機存取存儲器(PCRAM)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM))或其它存儲器(如磁阻隨機存取存儲器(MRAM)、3D交叉點(XPoint)存儲器、鐵電存儲器(FeRAM)、相變存儲器(PCM)等)等裝置。

主機系統(例如，主機)通常包含：主機處理器、用于支持主機處理器的第一數量的主機存儲器(例如，主存儲器，通常為如DRAM等易失性存儲器)、以及附加于或獨立于主存儲器的提供另外的存儲以保留數據的一或多個存儲系統(例如，通常為如閃速存儲器等非易失性存儲器)。

存儲系統(例如，固態驅動器(SSD)、通用閃速存儲(UFS)裝置等)可以包含存儲器控制器和一或多個存儲器裝置，所述一或多個存儲器裝置包含許多(例如，多個)管芯或邏輯單元(LUN)。在某些實例中，每個管芯可以包含其上的許多存儲器陣列和外圍電路系統，如管芯邏輯或管芯處理器。存儲器控制器可以包含被配置成通過通信接口(例如，雙向并行或串行通信接口)與主機裝置(例如，主機處理器或接口電路系統)通信的接口電路系統。存儲器控制器可以：從主機系統接收與存儲器操作或指令相關聯的命令或操作，如用于在存儲器裝置與主機裝置之間傳送數據(例如，用戶數據和相關聯的完整性數據，如錯誤數據或地址數據等)的讀取或寫入操作、用于從存儲器裝置擦除數據的擦除操作；執行驅動管理操作(例如，數據遷移、垃圾收集、塊引退)等。

軟件(例如，程序)、指令、操作系統(OS)和其它數據通常存儲在存儲系統上，并且由主存儲器存取以供主處理器使用。主存儲器(例如，RAM)通常比存儲系統的大多數存儲器裝置(例如，非易失性存儲器裝置，如SSD等)更快、更昂貴并且是不同類型的存儲器裝置(例如，易失性存儲器裝置)。除了主存儲器之外，主機系統可以包含不同形式的易失性存儲器，如一組靜態存儲器(例如，高速緩存，通常為SRAM)，所述不同形式的易失性存儲器通常比主存儲器更快，在某些實例中被配置成以接近或超過主機處理器的速度操作，但是密度較低并且成本較高。

發明內容