[發(fā)明專利]緩沖放大器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010660701.3 | 申請日： | 2017-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN111756367A | 公開（公告）日： | 2020-10-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金暉哲 | 申請（專利權(quán)）人： | 二勞額市首有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185;G09G3/3275;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;劉久亮 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 緩沖放大器 | ||
1.一種緩沖放大器，該緩沖放大器在上限電壓與大于0V的下限電壓之間工作，并且包括輸出被負(fù)反饋至輸入的運(yùn)算放大器，該運(yùn)算放大器包括：
第一級，該第一級包括折疊式級聯(lián)對以及轉(zhuǎn)換所述折疊式級聯(lián)對的輸出信號的電平的電平轉(zhuǎn)換器；以及
第二級，該第二級包括將所述第一級的輸出信號放大的AB類放大器，
其中，所述第一級和所述第二級級聯(lián)并連接，所述運(yùn)算放大器包括多個(gè)N型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS晶體管，并且所述下限電壓被提供給所述多個(gè)NMOS晶體管的體電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的緩沖放大器，其中，所述折疊式級聯(lián)對包括第一折疊式級聯(lián)電路和第二折疊式級聯(lián)電路，該第一折疊式級聯(lián)電路包括NMOS輸入電路和P型MOS PMOS級聯(lián)電路，該第二折疊式級聯(lián)電路包括PMOS輸入電路和NMOS級聯(lián)電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的緩沖放大器，其中，布置有所述NMOS晶體管的阱的偏置電壓被提供給所述NMOS晶體管的所述體電極，并且所述下限電壓被提供給所述阱作為所述偏置電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的緩沖放大器，其中，布置在所述阱中的所述多個(gè)NMOS晶體管具有與所述上限電壓和所述下限電壓之差對應(yīng)的耐受電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的緩沖放大器，該緩沖放大器還包括連接在所述第一級和所述第二級之間的振蕩控制電容器。
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