[發明專利]用于制備薄膜太陽能電池第一道刻線、第三道刻線的方法有效
| 申請號： | 202010660303.1 | 申請日： | 2020-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN111900219B | 公開（公告）日： | 2022-03-18 |
| 發明（設計）人： | 戴萬雷 | 申請（專利權）人： | 唐山科萊鼎光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0463 | 分類號： | H01L31/0463;H01L31/18 |
| 代理公司： | 石家莊科途知識產權代理事務所(普通合伙) 13141 | 代理人： | 梁雪嬌 |
| 地址： | 063000 河北省唐山市高*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 制備 薄膜 太陽能電池 一道 第三 道刻線 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于制備薄膜太陽能電池第一道刻線、第三道刻線的方法，其特征在于，包括以下步驟：
采用高功率激光器作用于第一道刻線底部，將第一道刻線底部的玻璃氣化，氣化的玻璃凝固在第一道刻線兩側，在第一道刻線上形成玻璃絕緣層；
所述玻璃絕緣層的寬度比相應刻線寬3～5微米，所述玻璃絕緣層的厚度為100～5000納米。
2.根據權利要求1所述用于制備薄膜太陽能電池第一道刻線、第三道刻線的方法，其特征在于，所述高功率激光器包括能夠產生波長為532nm、355nm激光的激光器，所述高功率激光器的功率為28～32W。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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