[發明專利]納米孔陣列結構的電致變色復合薄膜及其制備方法、應用

在審

• 申請號: 202010656122.1
• 申請日: 2020-07-09
• 公開（公告）號: CN111747660A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 劉晨;晉丁亥;張霞;蔡秀霞;李琴琴
• 申請（專利權）人: 西安郵電大學
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 西安新動力知識產權代理事務所(普通合伙) 61245
• 代理人: 劉強

1.一種納米孔陣列結構的電致變色復合薄膜，其特征在于，包括多孔氧化鈦薄膜和分布在所述多孔氧化鈦薄膜中的氧化鎢納米粒子，所述多孔氧化鈦薄膜呈納米孔結構，所述氧化鎢納米粒子通過原位生長法形成于多孔氧化鈦薄膜的納米孔結構中。

2.根據權利要求1所述的電致變色復合薄膜，其特征在于，所述納米孔結構包括陣列排布在鈦基底上的氧化鈦納米孔道，所述氧化鈦納米孔道的直徑為75～110nm。

3.根據權利要求2所述的電致變色復合薄膜，其特征在于，所述多孔氧化鈦薄膜的厚度為3～10μm。

4.一種納米孔陣列結構的電致變色復合薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

1)制備多孔氧化鈦薄膜；

2)將鎢酸鹽吸附在所述多孔氧化鈦薄膜上；

3)對吸附有鎢酸鹽的多孔氧化鈦薄膜進行加熱分解，使鎢酸鹽在多孔氧化鈦薄膜上原位生成氧化鎢納米粒子。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟1)具體包括，

1.1)清洗鈦基底，將鈦基底依次置于丙酮、乙醇、去離子水中超聲清洗，用氮氣吹干；

1.2)將清洗過的鈦基底浸沒于含有0.1～0.3mmol/L氟化銨的10～100mL無水乙二醇或丙三醇中進行電化學氧化，施加電壓為30～60V，反應時間為2～24h，得到生長在鈦基底上的多孔氧化鈦薄膜。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述鈦基底為鈦箔、鈦塊、鈦柱、通過濺射法在導電玻璃上涂布的鈦層中的任意一種。

7.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟2)具體為：將所述多孔氧化鈦薄膜置于濃度為0.01～10mmol/L的鎢酸鹽溶液中，靜置1～12h取出，清洗。

8.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟3)具體為：將吸附有鎢酸鹽的多孔氧化鈦薄膜在300～550℃的空氣氛圍下煅燒30～300min，使鎢酸鹽在多孔氧化鈦薄膜上原位生成氧化鎢納米粒子。

9.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鎢納米粒子的尺寸和密度能夠通過步驟2)和步驟3)的反應次數進行控制。

10.一種利用權利要求4-9任一項所述的制備方法制得納米孔陣列結構的電致變色復合薄膜在電致變色材料上的應用。