[發(fā)明專利]一種頂發(fā)射OLED的復(fù)合薄膜封裝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010655689.7
• 申請日: 2020-07-09
• 公開（公告）號: CN111710801A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏斌;廖翊誠;邵林
• 申請（專利權(quán)）人: 浩物電子科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 馬小星

1.一種頂發(fā)射OLED的復(fù)合薄膜封裝方法，包括以下步驟：

(1)在頂發(fā)射OLED的陰極表面蒸鍍預(yù)封裝層，得到預(yù)封裝器件；所述預(yù)封裝層包括交替層疊排列的金屬氧化物層和金屬層；

(2)在所述步驟(1)得到的預(yù)封裝器件的預(yù)封裝層表面沉積薄膜封裝層，得到復(fù)合薄膜封裝器件；所述薄膜封裝層包括氧化硅薄膜和氮化硅薄膜中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜封裝方法，其特征在于，所述步驟(1)中金屬氧化物層的材質(zhì)包括MoO_x、WO_x和NiO_x中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜封裝方法，其特征在于，所述步驟(1)中金屬層的材質(zhì)包括Ag、Ni、Cu、Cr和Al中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的復(fù)合薄膜封裝方法，其特征在于，所述步驟(1)中金屬層的總厚度為6～20nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜封裝方法，其特征在于，所述步驟(1)中交替層疊排列的金屬氧化物層和金屬層的交替次數(shù)≥1。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜封裝方法，其特征在于，所述步驟(1)中預(yù)封裝層的厚度為300～500nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合薄膜封裝方法，其特征在于，所述步驟(1)中預(yù)封裝層的厚度為350～450nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜封裝方法，其特征在于，所述步驟(1)中蒸鍍的速率不超過

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜封裝方法，其特征在于，所述步驟(2)中薄膜封裝層的厚度為300～500nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜封裝方法，其特征在于，所述步驟(2)中沉積為等離子體增強化學(xué)氣相沉積。