[發明專利]薄膜晶體管基板、包括其的顯示設備，和它們的制造方法

在審

• 申請號: 202010655636.5
• 申請日: 2020-07-09
• 公開（公告）號: CN112216612A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 李東成;金志桓;徐宗吾;蘇炳洙;李童敏;田妍熙;崔鐘勛;孫丙圭;張承鉉
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 趙嫦;王珍仙

1.一種制造薄膜晶體管基板的方法，所述方法包括：

在基板上方提供非晶硅層；

通過進行表面清潔而去除所述非晶硅層的表面上的氧化物膜；和

通過在所述非晶硅層上進行熱處理而形成有源層，其中所述非晶硅層通過所述熱處理變成晶體硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述通過進行所述表面清潔而去除所述非晶硅層的所述表面上的所述氧化物膜包括：

將氟化氫溶液噴射到所述非晶硅層的所述表面上。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述氟化氫溶液包括0.5vol％的氟化氫。

4.根據權利要求2所述的方法，其中所述通過進行所述表面清潔而去除所述非晶硅層的所述表面上的所述氧化物膜進一步包括：

進行第一次沖洗清潔，包括以自由下落的形式，將氫水供應至所述非晶硅層的所述表面。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述通過進行所述表面清潔而去除所述非晶硅層的所述表面上的所述氧化物膜進一步包括：

進行第二次沖洗清潔，包括以自由下落的形式，將氫水供應至所述非晶硅層的所述表面，同時用兆頻超聲波將振動施加至所述氫水。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成所述有源層包括：

將激光束輻射到布置在所述基板上方的所述非晶硅層上，其中所述激光束分別在彼此垂直的第一方向和第二方向上具有長邊和短邊；和

使所述基板在平行于所述短邊的所述第二方向上移動預定的節距。

7.根據權利要求6所述的方法，

其中每當所述基板移動所述預定的節距，重復地打開和關閉所述激光束，

其中所述預定的節距設置為允許所述激光束在所述非晶硅層的單元區域中打開至少7次。

8.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述基板和所述非晶硅層之間提供緩沖層，

其中所述非晶硅層的厚度在至的范圍內，并且

其中所述緩沖層包括厚度為至的SiO_x。

9.一種薄膜晶體管基板，包括：

基板、在所述基板上方的有源層、面向所述有源層的柵電極、連接至所述有源層的源電極和連接至所述有源層的漏電極，

其中所述有源層的表面包括突出物，并且

所述突出物的高度為3nm或更小。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管基板，進一步包括：

在所述基板和所述有源層之間的緩沖層，

其中所述有源層的厚度在至的范圍內，

其中所述緩沖層包括厚度為至的SiO_x。

11.一種制造顯示設備的方法，所述方法包括：

在基板上方提供薄膜晶體管，和提供連接至所述薄膜晶體管的有機發光裝置，

其中所述提供所述薄膜晶體管包括：

在所述基板上方提供非晶硅層；

通過進行表面清潔而去除所述非晶硅層的表面上的氧化物膜；和

通過在所述非晶硅層上進行熱處理而形成有源層，其中所述非晶硅層通過所述熱處理變成晶體硅層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述通過進行所述表面清潔而去除所述非晶硅層的所述表面上的所述氧化物膜包括：

將氟化氫溶液噴射到所述非晶硅層的所述表面上。

13.根據權利要求12所述的方法，

其中所述氟化氫溶液包括0.5vol％的氟化氫。