[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010655499.5
• 申請日: 2020-07-09
• 公開（公告）號: CN112928120A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳丞昱;李起洪
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11578
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導(dǎo)體存儲器裝置，該半導(dǎo)體存儲器裝置包括：

第一源極層；

第二源極層，所述第二源極層在所述第一源極層上；

層疊結(jié)構(gòu)，所述層疊結(jié)構(gòu)在所述第二源極層上方；以及

公共源極線，所述公共源極線貫穿所述層疊結(jié)構(gòu)，

其中，所述第二源極層包括與所述公共源極線接觸的保護層和圍繞所述保護層的導(dǎo)電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述保護層的上表面、下表面和第一側(cè)壁與所述導(dǎo)電層接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述保護層的第二側(cè)壁與所述公共源極線接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述保護層包括相對于氧化物、氮化物和多晶硅具有蝕刻選擇性的材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述層疊結(jié)構(gòu)包括彼此交替層疊的絕緣圖案和柵極圖案。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述導(dǎo)電層包括：

上部，所述上部覆蓋所述保護層的上表面；

下部，所述下部覆蓋所述保護層的下表面；以及

側(cè)壁部，所述側(cè)壁部覆蓋所述保護層的第一側(cè)壁，

其中，所述導(dǎo)電層的所述上部包括與所述公共源極線接觸的緩沖圖案。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述緩沖圖案包括氧化硅。

8.一種半導(dǎo)體存儲器裝置，該半導(dǎo)體存儲器裝置包括：

層疊結(jié)構(gòu)，所述層疊結(jié)構(gòu)包括彼此交替層疊的絕緣圖案和柵極圖案；

第一源極層，所述第一源極層包括導(dǎo)電層和在所述導(dǎo)電層中的第一保護層；

溝道結(jié)構(gòu)，所述溝道結(jié)構(gòu)貫穿所述層疊結(jié)構(gòu)，所述溝道結(jié)構(gòu)連接至所述第一源極層；以及

公共源極線，所述公共源極線貫穿所述層疊結(jié)構(gòu)，所述公共源極線與所述第一保護層接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述導(dǎo)電層包括第一腔，

其中，所述第一保護層形成在所述第一腔中。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述第一保護層包括第二腔，

其中，所述第一源極層還包括在所述第二腔中的第二保護層。

11.一種半導(dǎo)體存儲器裝置，該半導(dǎo)體存儲器裝置包括：

第一源極層；

第二源極層，所述第二源極層在所述第一源極層上；

絕緣圖案和柵極圖案，所述絕緣圖案和所述柵極圖案在所述第二源極層上方；以及

溝道結(jié)構(gòu)，所述溝道結(jié)構(gòu)貫穿所述絕緣圖案、所述柵極圖案和所述第二源極層，

其中，所述第二源極層包括與所述溝道結(jié)構(gòu)接觸的導(dǎo)電層和被所述導(dǎo)電層圍繞的保護層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，該半導(dǎo)體存儲器裝置還包括與所述導(dǎo)電層和所述保護層接觸的公共源極線。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述保護層包括相對于所述導(dǎo)電層具有蝕刻選擇性的材料。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述保護層包括SiCO、SiC和SiCN中的至少一種。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述導(dǎo)電層包括多晶硅。