[發明專利]半導體器件和半導體封裝件

在審

• 申請號: 202010655330.X
• 申請日: 2020-07-09
• 公開（公告）號: CN112242366A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 李學承;金鎮南;文光辰;金恩知;金泰成;樸相俊
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L25/18;H01L21/60
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

至少一個半導體結構；

層間絕緣層，其設置在所述半導體襯底和所述半導體結構上；

至少一個第一過孔結構，其穿透所述半導體襯底和所述層間絕緣層，所述第一過孔結構包括第一區域和第二區域，所述第一區域在所述層間絕緣層的上表面具有第一寬度，所述第二區域從所述第一區域延伸，并且在所述半導體襯底的下表面具有第二寬度，其中，所述第一區域的側表面和所述第二區域的側表面在所述第一區域與所述第二區域之間的邊界表面具有不同的輪廓；以及

至少一個第二過孔結構，其穿透所述半導體襯底和所述層間絕緣層，并且在所述層間絕緣層的上表面具有大于所述第一寬度的第三寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一寬度小于所述第二寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二區域的至少一部分具有從所述邊界表面增大的寬度。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一區域的至少一部分具有從所述邊界表面增大的寬度。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二區域的側表面在與所述邊界表面相鄰的區域中具有彎曲形狀。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述第二區域的側表面具有浮雕結構。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述至少一個第一過孔結構和所述至少一個第二過孔結構被配置為傳輸不同的信號。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述至少一個第一過孔結構被配置為傳輸數據信號，并且所述至少一個第二過孔結構被配置為傳輸電源信號。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述至少一個第一過孔結構的側表面和所述至少一個第二過孔結構的側表面具有不同的輪廓。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述邊界表面位于所述半導體襯底中。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述至少一個第一過孔結構的長度與所述至少一個第二過孔結構的長度相同。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第三寬度小于所述第二寬度。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第三寬度大于所述第二寬度。

14.一種半導體封裝件，包括：

第一半導體器件；以及

第二半導體器件，其與所述第一半導體器件堆疊，

其中，所述第一半導體器件包括穿透所述第一半導體器件的至少一個第一過孔結構和至少一個第二過孔結構，并且

其中，所述至少一個第一過孔結構包括第一區域和第二區域，所述第一區域在所述第一半導體器件的上表面上具有第一寬度，所述第二區域在所述第一半導體器件的下表面上具有第二寬度，并且所述第一區域與所述第二區域之間的邊界表面的寬度小于所述第一寬度。

15.根據權利要求14所述的半導體封裝件，其中，所述至少一個第二過孔結構的第三寬度大于所述第一寬度。

16.根據權利要求14所述的半導體封裝件，其中，所述第一半導體器件和所述第二半導體器件安裝在封裝襯底上，并且所述第一半導體器件包括被配置為存儲數據的至少一個存儲器裸片。