[發明專利]三維存儲器

有效

• 申請號: 202010655143.1
• 申請日: 2020-07-09
• 公開（公告）號: CN111755458B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 徐偉;楊星梅;王健艫;吳繼君;黃攀;周文斌
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;劉芳

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的堆棧結構，所述堆棧結構包括若干層交替排列的柵極層和絕緣層；

溝道結構，穿過所述堆棧結構并延伸至所述襯底，所述溝道結構包含溝道層與包圍所述溝道層的功能層；

半導體層，穿過最靠近所述襯底的柵極層與所述襯底接觸，所述半導體層還在平行于所述襯底的方向上穿過所述功能層與所述溝道層接觸；

其中，所述襯底設置有貫穿所述襯底的第二通孔，所述第二通孔與所述溝道結構靠近所述襯底的一端錯位設置，所述第二通孔用于作為刻蝕通道以形成所述半導體層，并且，所述第二通孔內形成有與所述半導體層電性連接的導電柱塞。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：位于所述堆棧結構上的外圍電路，所述外圍電路用于實現邏輯控制。

3.根據權利要求2所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：

位于所述溝道結構上的漏極，所述漏極與所述溝道層接觸；

位于所述漏極與所述外圍電路之間的互連結構，所述互連結構分別與所述漏極和所述外圍電路電連接。

4.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：穿過所述堆棧結構的隔離結構，所述隔離結構沿設定方向延伸以將所述堆棧結構分隔為若干塊。

5.根據權利要求4所述的三維存儲器，其特征在于，所述隔離結構為絕緣柱。

6.根據權利要求4所述的三維存儲器，其特征在于，所述堆棧結構包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層位于最靠近所述襯底的柵極層以及與該柵極層相鄰的所述柵極層之間，所述溝道結構穿過所述刻蝕阻擋層。

7.根據權利要求6所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：底部選擇門；

位于所述刻蝕阻擋層與所述襯底之間的所述柵極層作為所述底部選擇門。

8.根據權利要求4所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：

位于所述襯底內的第一摻雜阱；

位于所述第一摻雜阱內的第二摻雜阱，所述第一摻雜阱與所述第二摻雜阱的摻雜類型相反；

所述隔離結構在垂直于所述襯底的方向的投影位于所述第二摻雜阱內。

9.根據權利要求8所述的三維存儲器，其特征在于，所述第二通道貫穿所述第二摻雜阱。

10.根據權利要求9所述的三維存儲器，其特征在于，所述導電柱塞與所述第二摻雜阱之間設置有歐姆接觸層；

所述歐姆接觸層位于所述導電柱塞的側壁上，并與所述第二摻雜阱接觸。

11.根據權利要求8所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一摻雜阱的摻雜類型為P型，所述第二摻雜阱的摻雜類型為N型。

12.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述堆棧結構包括第一堆棧結構和位于所述第一堆棧結構上的第二堆棧結構；

所述溝道結構包括堆疊的第一溝道結構和第二溝道結構；

所述第一溝道結構穿過所述第一堆棧結構，所述第二溝道結構穿過所述第二堆棧結構。

13.根據權利要求12所述的三維存儲器，其特征在于，在所述第一溝道結構與所述第二溝道結構的連接處，所述第一溝道結構在徑向上凸出于所述第二溝道結構。

14.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：位于所述襯底背面的并與所述襯底接觸的導電部件。