[發明專利]一種提高聲表濾波器Q值的結構與制造方法

在審

• 申請號: 202010654485.1
• 申請日: 2020-07-09
• 公開（公告）號: CN111934642A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 楊曉東;岳曉斌;李小珍;邢孟江
• 申請（專利權）人: 寧波芯納川科技有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H3/08;H03H9/64
• 代理公司: 北京市盈科律師事務所 11344
• 代理人: 羅東

1.一種提高聲表濾波器Q值的結構，其特征在于：包括壓電材料襯底基板和金屬換能器電極，金屬換能器電極設置在壓電材料襯底基板上，金屬換能器電極包括間斷型金屬粘附層、金屬填充層和金屬覆蓋層，間斷型金屬粘附層設置在壓電材料襯底基板上，金屬填充層填充設置在間斷型金屬粘附層的間隙中，金屬覆蓋層設置在間斷型金屬粘附層和金屬填充層上，間斷型金屬粘附層、金屬填充層和金屬覆蓋層形成疊層結構。

2.根據權利要求1所述提高聲表濾波器Q值的結構，其特征在于：間斷型金屬粘附層由均勻分布的互不相接的金屬塊組成，形成間斷型結構。

3.根據權利要求2所述提高聲表濾波器Q值的結構，其特征在于：間斷型金屬粘附層的厚度為20～200nm，金屬覆蓋層的厚度為1～15um，間斷型金屬粘附層的上平面總面積與金屬覆蓋層的下底面面積的比為N:1，其中0.1≤N1。

4.根據權利要求1所述提高聲表濾波器Q值的結構，其特征在于：金屬填充層和金屬覆蓋層為一體結構。

5.根據權利要求1所述提高聲表濾波器Q值的結構，其特征在于：間斷型金屬粘附層的金屬為鈦、鉻、鎳的一種或兩種以上金屬合金，金屬填充層和金屬覆蓋層的金屬為金、銀、銅、鋁的一種或兩種以上金屬合金。

6.權利要求1所述提高聲表濾波器Q值的結構的制造方法，其特征在于，具體步驟如下：

(1)對壓電單晶襯底基板進行清洗備用；

(2)在步驟(1)壓電單晶襯底基板上均勻涂覆光刻膠，利用光刻機和間斷型粘附層金屬相適應的掩膜版，在壓電單晶襯底基板上進行掩膜版光刻，再利用光刻機在壓電單晶襯底基板上進行無掩膜版光刻，顯影形成間斷型金屬粘附層的間斷型條紋圖案，再在壓電單晶襯底基板的間斷型條紋圖案上定位生長粘附層金屬薄膜，剝離即得間斷型金屬粘附層結構；

(3)在步驟(2)生長有間斷型金屬粘附層結構的壓電單晶襯底基板上均勻涂覆光刻膠，利用光刻機和金屬填充層相適應的掩膜版，在壓電單晶襯底基板上進行掩膜版套刻，再利用光刻機在壓電單晶襯底基板上進行無掩膜版光刻，顯影形成金屬填充層的間斷型條紋圖案，再在壓電單晶襯底基板的間斷型條紋圖案上定位生長金屬填充層薄膜，剝離即得金屬填充層結構；其中金屬填充層的間斷型條紋圖案與步驟(2)間斷型粘附層金屬的間斷型條紋圖案交錯；

(4)在步驟(3)金屬填充層頂端繼續生長金屬薄膜并使其覆蓋間斷型金屬粘附層得到金屬覆蓋層；

(5)對步驟(4)金屬覆蓋層上表面進行化學機械拋光以達到金屬電極表面平整度，得到提高聲表濾波器Q值的結構。

7.根據權利要求6所述提高聲表濾波器Q值的結構的制造方法，其特征在于：步驟(2)光刻膠為AZ5214型光刻膠。

8.根據權利要求6所述提高聲表濾波器Q值的結構的制造方法，其特征在于：粘附層金屬薄膜、金屬填充層薄膜和金屬覆蓋層生長方式為蒸發、濺射或化學鍍。