[發明專利]一種常壓下鍺錫納米材料的制備方法

有效

• 申請號: 202010652263.6
• 申請日: 2020-07-08
• 公開（公告）號: CN111893454B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 馬淑芳;楚陽陽;單恒升;魏宇;尚林;席婷;孔慶波;許并社
• 申請（專利權）人: 陜西科技大學
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C23C16/06;B82Y40/00
• 代理公司: 西安銘澤知識產權代理事務所(普通合伙) 61223
• 代理人: 梁靜

1.一種常壓下鍺錫納米材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

選取長寬為10mm*10mm的硅片進行清洗：首先用丙酮溶液超聲清洗20min，用以去除硅片表面有機物，然后用去離子水沖洗干凈；

噴涂鉑金：在干燥的硅片表面噴有4nm厚的鉑金；

將表面噴有鉑金的硅片平置于管式爐內一端，其將噴有鉑金的一面朝上；

將0.5g鍺粉和0.025g錫粉置于管式爐內另一端，并在此端以200sc·cm氣體流量連續通入惰性氣體后，將管式爐從室溫以5℃/min速率升溫至850℃后，保溫60min再以5℃/min速率降至室溫，即在硅片表面獲得鍺錫納米點，其中，連續通入惰性氣體的時長直至反應結束。

2.一種常壓下鍺錫納米材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

選取長寬為10mm*10mm的硅片進行清洗：首先用丙酮溶液超聲清洗20min，用以去除硅片表面有機物，然后用去離子水沖洗干凈；

噴涂鉍：在干燥的硅片表面噴有4nm厚的鉍；

將表面噴有鉍的硅片置于圓底瓷舟的一端，其將噴有鉍的一面朝上；

將0.25g鍺粉和0.025g錫粉置于圓底瓷舟的另一端，然后將圓底瓷舟置于管式爐內，并將裝有鍺粉和錫粉的一端置于管式爐的中央，同時，在此端以200sc·cm氣體流量連續通入惰性氣體后，將管式爐從室溫以5℃/min速率升溫至800℃后，保溫50min，再以5℃/min速率降至100℃，最后自然降至室溫，即在硅片表面獲得鍺錫納米點；其中，連續通入惰性氣體的時長直至反應結束。

3.一種常壓下鍺錫納米材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

選取長寬為10mm*10mm的硅片進行清洗：首先用丙酮溶液超聲清洗20min，用以去除硅片表面有機物，然后用去離子水沖洗干凈；

噴涂鎳：在干燥的硅片表面噴有4nm厚的鎳；

將表面噴有鎳的硅片置于圓底瓷舟的一端，其將噴有鎳的一面朝上；

將0.5g鍺粉和0.025g錫粉置于圓底瓷舟的另一端，然后將圓底瓷舟置于管式爐內，并將裝有鍺粉和錫粉的一端置于管式爐的中央，同時，在此端以200sc·cm氣體流量連續通入惰性氣體后，將管式爐從室溫以5℃/min速率升溫至800℃后，保溫100min，再以5℃/min速率降至100℃，最后自然降至室溫，即在硅片表面獲得鍺錫納米線；其中，連續通入惰性氣體的時長直至反應結束。