[發(fā)明專利]MEMS揚(yáng)聲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010651477.1
• 申請日: 2020-07-08
• 公開（公告）號(hào): CN111918187B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程詩陽;朱國;但強(qiáng);李楊
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞聲科技（南京）有限公司
• 主分類號(hào): H04R19/02
• 分類號(hào): H04R19/02
• 代理公司: 深圳中細(xì)軟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44528
• 代理人: 仉玉新

1.一種MEMS揚(yáng)聲器，其特征在于：包括具有聲腔的基底和固定于所述基底的至少兩個(gè)電聲換能器，所述電聲換能器的聲波傳播方向均朝向所述聲腔，所述基底貫穿開設(shè)有與所述聲腔連通的出聲孔；至少兩個(gè)所述電聲換能器的聲波傳播方向相交，所述出聲孔與其中一個(gè)所述電聲換能器正對。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS揚(yáng)聲器，其特征在于：至少兩個(gè)所述電聲換能器的振動(dòng)方向相互正交。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS揚(yáng)聲器，其特征在于：所述基底包括層疊設(shè)置的上基底與下基底，所述聲腔包括由所述上基底圍成的上聲腔以及由所述下基底圍成并與所述上聲腔連通的下聲腔，所述電聲換能器包括固定于所述上基底上的至少一個(gè)用于向所述上聲腔內(nèi)發(fā)送聲波的第一電聲換能器，以及固定于所述下基底上的至少一個(gè)用于向所述下聲腔內(nèi)發(fā)送聲波的第二電聲換能器；其中一個(gè)所述第二電聲換能器的聲波傳播方向與所述第一電聲換能器的聲波傳播方向相交。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS揚(yáng)聲器，其特征在于：所述上基底呈環(huán)狀，所述基底還包括蓋設(shè)在蓋設(shè)于所述上基底遠(yuǎn)離所述下基底一側(cè)的蓋板，所述出聲孔開設(shè)于所述蓋板，所述第二電聲換能器與所述蓋板正對。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的MEMS揚(yáng)聲器，其特征在于：所述電聲換能器為壓電換能器、靜電換能器和電磁換能器中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MEMS揚(yáng)聲器，其特征在于：所述第一電聲換能器包括自所述上基底朝所述上聲腔內(nèi)延伸形成的靜電極梳齒、與所述靜電極梳齒間隔設(shè)置的振膜以及設(shè)置在所述振膜靠近所述靜電極梳齒一側(cè)的動(dòng)電極梳齒，所述靜電極梳齒與所述動(dòng)電極梳齒交叉耦合，所述振膜包括相對兩側(cè)分別與所述上基底固定。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MEMS揚(yáng)聲器，其特征在于：所述上基底包括相對設(shè)置的第一側(cè)壁以及連接在所述第一側(cè)壁之間的第二側(cè)壁，所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁圍合形成所述上聲腔，所述靜電極梳齒自所述第一側(cè)壁延伸，所述振膜的相對兩側(cè)固定于所述第二側(cè)壁。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS揚(yáng)聲器，其特征在于：所述第二電聲換能器包括振膜層以及耦合在所述振膜層上并用于驅(qū)動(dòng)所述振膜層振動(dòng)的驅(qū)動(dòng)器，所述下基底呈環(huán)狀，且所述下基底遠(yuǎn)離所述蓋板的一側(cè)形成與所述下聲腔連通的通孔，所述振膜層蓋設(shè)在所述下基底遠(yuǎn)離所述蓋板的一側(cè)并覆蓋所述通孔，所述振膜層的振動(dòng)方向正對所述通孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的MEMS揚(yáng)聲器，其特征在于：至少兩個(gè)所述電聲換能器的固有頻率不同。