[發明專利]半導體存儲器裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010650969.9
• 申請日: 2020-07-08
• 公開（公告）號: CN112652629A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 李相范
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11578
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 崔卿虎

1.一種半導體存儲器裝置，包括：

第一半導體層；

單元堆疊和外圍堆疊，各自被設置在所述第一半導體層上；

第一縫隙結構，在第一方向上延伸并且穿透所述單元堆疊和所述外圍堆疊；

穿透結構，穿透所述外圍堆疊并且與所述第一縫隙結構間隔開；以及

支撐結構，穿透所述外圍堆疊，

其中所述支撐結構包括彼此間隔開的第一側壁部分和將所述第一側壁部分彼此連接的第二側壁部分，并且

其中所述穿透結構被設置在所述第一側壁部分之間。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述第一縫隙結構的一部分被設置在所述第一側壁部分之間。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，還包括支撐柱子，所述支撐柱子被設置在所述第一縫隙結構和所述穿透結構之間，所述支撐柱子穿透所述外圍堆疊。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，還包括第二縫隙結構，所述第二縫隙結構在所述第一方向上延伸并且在與所述第一方向交叉的第二方向上與所述第一縫隙結構間隔開，

其中所述第二縫隙結構與所述支撐結構間隔開。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述外圍堆疊包括所述支撐結構中的第一部分，并且

其中所述穿透結構穿透所述外圍堆疊的所述第一部分。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中所述第一部分包括在垂直方向上布置的第一絕緣圖案和填充一個或多個空間的絕緣膜，所述空間中的每個空間在相鄰的成對的所述第一絕緣圖案之間，并且

其中所述第一絕緣圖案和所述絕緣膜各自包括氧化物。

7.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中：

所述外圍堆疊還包括通過所述支撐結構與所述第一部分間隔開的第二部分；

所述第二部分包括交替堆疊的第二絕緣圖案和犧牲圖案；

所述第二絕緣圖案各自包括氧化物；并且

所述犧牲圖案各自包括氮化物。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中：

所述外圍堆疊包括連接至所述單元堆疊的一部分；

所述外圍堆疊的所述部分包括交替堆疊的絕緣圖案和導電圖案；并且

所述外圍堆疊的所述部分的一部分被設置在所述第一側壁部分之間。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述第一縫隙結構與所述支撐結構間隔開。

10.根據權利要求9所述的半導體存儲器裝置，其中所述第一縫隙結構在所述第一方向上與所述第二側壁部分間隔開。

11.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述穿透結構包括導電材料。

12.一種半導體存儲器裝置，包括：

第一半導體層；

單元堆疊和外圍堆疊，各自被設置在所述第一半導體層上；以及

支撐結構，穿透所述外圍堆疊，

其中所述外圍堆疊包括被所述支撐結構包圍的第一部分和通過所述支撐結構與所述第一部分間隔開的第二部分，

其中所述第一部分包括在垂直方向上布置的第一絕緣圖案和填充一個或多個空間的絕緣膜，所述空間中的每個空間在相鄰的成對的所述第一絕緣圖案之間，并且

其中所述第二部分包括交替堆疊的第二絕緣圖案和犧牲圖案。

13.根據權利要求12所述的半導體存儲器裝置，其中所述第一絕緣圖案和所述第二絕緣圖案以及所述絕緣膜各自包括氧化物，并且

其中所述犧牲圖案各自包括氮化物。