[發(fā)明專利]電子摻雜實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體熱電子壽命延長的方法及體系與應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010650799.4
• 申請日: 2020-07-08
• 公開（公告）號: CN113921402A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳凱豐;王俊慧;王荔峰
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所
• 主分類號: H01L21/388
• 分類號: H01L21/388;H01L29/22;H01L29/227;H01L33/28
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002
• 代理人: 鄭偉健

1.電子摻雜實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體熱電子壽命延長的方法，其特征在于：所使用的半導(dǎo)體材料CdSe量子點(diǎn)(QD)，摻雜程度的定義：QD導(dǎo)帶上的電子引起其穩(wěn)態(tài)吸收值降低的程度，摻雜程度在1％～90％(優(yōu)選為30％～90％，更優(yōu)選50％～90％)之間。

2.按照權(quán)利要求1所述電子摻雜實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體熱電子壽命延長的方法，其特征在于：所述的光化學(xué)摻雜電子方法，以0.01M三乙基硼氫化鋰(Et₃LiBH)的甲苯溶液(為了避免QD自身的刻蝕，優(yōu)選范圍在0.005～0.03M之間)逐滴加入QD的甲苯溶液(1mm透明比色皿中QD的第一激子吸收峰處吸光度值在0.2～0.8之間)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)帶的電子摻雜；最后，通過穩(wěn)態(tài)吸收譜判斷其摻雜程度的高低。

3.按照權(quán)利要求1所述電子摻雜實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體熱電子壽命延長的方法，其特征在于：所述研究體系的瞬態(tài)吸收檢測均需要在透明的密閉的比色皿中進(jìn)行，以保證摻雜電子作用的有效檢測(防止導(dǎo)帶電子被空氣中的O₂消耗掉)。

4.按照權(quán)利要求1或3所述電子摻雜實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體熱電子壽命延長的方法，其特征在于：所采用的瞬態(tài)吸收檢測，為了實(shí)現(xiàn)熱電子馳豫過程分析的單一性和明確性，采用QD對應(yīng)特定的1S和1P(對應(yīng)QD的具體能帶位置)激發(fā)波長實(shí)現(xiàn)選擇性激發(fā)，以清晰的檢測熱電子的馳豫變化。

5.一種權(quán)利要求1-4任一所述方法獲得的半導(dǎo)體QD電子摻雜體系。

6.一種權(quán)利要求5所述半導(dǎo)體QD電子摻雜體系的應(yīng)用，其可應(yīng)用于基于QD的實(shí)現(xiàn)熱載流子高效提取體系、發(fā)光二極管或其他任何能量高效捕獲調(diào)控體系的設(shè)計、優(yōu)化或構(gòu)建中。