[發明專利]一種三維閃存編程時延模型及預測方法

在審

• 申請號: 202010650467.6
• 申請日: 2020-07-08
• 公開（公告）號: CN111859643A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 李禮;劉碧貞;吳佳
• 申請（專利權）人: 上海威固信息技術股份有限公司
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20
• 代理公司: 上海海貝律師事務所 31301
• 代理人: 王文鋒

1.一種三維閃存編程時延模型及預測方法，其特征在于，模型建立包括以下步驟：

(1)對三維電荷捕獲型閃存進行測試，收集其在不同編程/擦除周期下各字線的編程時延；

(2)數據分析；

(3)以閃存塊的第一個字線為基準點，對其編程時延和編程/擦除周期進行建模，記為t1＝F(pe)，其中pe為編程/擦除周期，t1為第一個字線的編程時延；

(4)以閃存塊的第一個字線為基準點，對其編程時延和字線編號進行建模，記為t2＝G(wl)，其中wl為字線編號，t2為該字線的編程時延；

(5)合并模型，編程時延模型，記為t＝T(pe,wl)＝t1+t2＝F(pe)+G(wl)。

2.一種三維閃存編程時延模型及預測方法，其特征在于，編程時延預測包括以下步驟：

(1)在運行狀態下記錄當前塊的編程/擦除次數(pe)、字線編號(wl),及其對應的編程時延(t)；

(2)將步驟(1)中的編程/擦除次數(pe)、字線編號(wl)和編程時延(t)代入模型t＝T(pe,wl)，求得該塊對應的模型參數；

(3)輸入該塊想要預測的編程/擦除次數(pe')和字線編號(wl')到步驟(2)中，得到其對應的預測編程時延(t')。

3.根據權利要求1所述的一種三維閃存編程時延模型及預測方法，其特征在于，步驟(1)的測試包括以下步驟：

(1)在三維電荷捕獲型閃存芯片中隨機挑選一批未經過任何編程/擦除操作的塊，不能有壞塊；

(2)對每個塊依次遍歷進行編程/擦除操作，記錄其每個字線的編程時延；

(3)重復步驟(2)直至出現編程/擦除錯誤或達到預定的編程/擦除周期。

4.根據權利要求1所述的一種三維閃存編程時延模型及預測方法，其特征在于，步驟(3)和步驟(4)中所述的模型是以步驟(2)中的數據分析為基礎的，F(pe)為線性模型，G(wl)為分段線性模型。

5.根據權利要求1所述的一種三維閃存編程時延模型及預測方法，其特征在于，閃存的字線編號與編程時延的模型適用于所有編程/擦除周期，即編程時延的差異性在字線間是靠閃存不同堆疊層的差異體現的，與編程/擦除周期無關。

6.根據權利要求1所述的一種三維閃存編程時延模型及預測方法，其特征在于，步驟(1)中所述的編程測試時寫入的數據是隨機的，且在不同字線上寫入的數據也完全不同，以模擬固態硬盤中存儲真實數據的場景。