[發明專利]半導體器件制造方法

有效

• 申請號: 202010650437.5
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN111725217B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 劉沙沙;王恩博;盧峰;肖莉紅;楊號號;李兆松
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 楊錫勱;趙磊

1.一種用于制造半導體器件的方法，包括：

形成第一堆疊絕緣層的第一結構，所述第一堆疊絕緣層的第一結構包括第一通孔，所述第一通孔布置在襯底上的接觸區域和在所述接觸區域上形成的氧化層上，并且延伸穿過所述第一堆疊絕緣層；

確定與所述第一結構相關聯的第一重量；

通過用犧牲層填充所述第一通孔的至少頂部區域來形成第二結構；

確定與所述第二結構相關聯的第二重量；

形成第三結構，所述第三結構包括所述第二結構和堆疊在所述第二結構上方的第二堆疊絕緣層，所述第三結構還包括第二通孔，所述第二通孔與所述第一通孔對準并延伸穿過所述第二堆疊絕緣層；

確定與所述第三結構相關聯的第三重量；

通過從所述第三結構去除所述犧牲層以形成包括所述第一通孔和所述第二通孔的延伸通孔，來形成第四結構；

確定與所述第四結構相關聯的第四重量；以及

基于包括所述第一重量、第二重量、第三重量和第四重量的多個重量來確定所述延伸通孔的質量。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，

形成所述第三結構還包括通過從所述犧牲層去除頂部而在所述犧牲層中形成凹陷區域；并且

所述方法還包括：

獲得所述犧牲層的所去除的頂部的重量；以及

基于所述多個重量和所述犧牲層的所去除的頂部的重量，來進一步確定所述延伸通孔的質量。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述凹陷區域形成在所述犧牲層上方。

4.根據權利要求1所述的方法，其中確定所述延伸通孔的質量包括：

確定任何所述犧牲層是否保留在所述延伸通孔中和/或是否去除了任何的接觸區域。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括：

確定是否去除了任何的所述襯底。

6.根據權利要求2所述的方法，其中確定所述延伸通孔的質量包括：

基于所述第一重量和所述第二重量來確定第一重量差，所述第一重量差對應于所述第二結構的所述第一通孔中的所述犧牲層的重量；

基于所述第三重量、所述第四重量、以及所述犧牲層的所去除的頂部的重量來確定第二重量差，所述第二重量差對應于從所述第一通孔去除的所述犧牲層的重量和從至少所述接觸區域去除的部分的重量之和；以及

基于所述第一重量差和所述第二重量差來確定所述延伸通孔的質量。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，基于所述第一重量差和所述第二重量差來確定所述延伸通孔的質量包括：

當所述第一重量差和所述第二重量差滿足預定義的第一條件時，確定所述延伸通孔不包括所述犧牲層并且未去除至少所述接觸區域的部分；

當所述第一重量差和所述第二重量差滿足預定義的第二條件時，確定所述延伸通孔包括所述犧牲層的一部分；以及

當所述第一重量差和所述第二重量差滿足預定義的第三條件時，確定至少所述接觸區域的部分被去除。

8.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述第二結構包括：

用所述犧牲層填充所述第一通孔的至少頂部區域，所述犧牲層的頂表面與所述第一結構的頂表面共面。

9.根據權利要求2所述的方法，還包括：

形成第五結構，所述第五結構包括在另一半導體襯底上方的另一犧牲層；

在所述第五結構上形成其他堆疊絕緣層，所述其他堆疊絕緣層對應于所述第二堆疊絕緣層；

通過去除所述其他堆疊絕緣層的部分和所述另一犧牲層的部分，來形成穿過所述其他堆疊絕緣層并進入所述另一犧牲層的另一通孔；

去除所述其他堆疊絕緣層以形成第六結構；

分別確定所述第五結構的第五重量和所述第六結構的第六重量；以及

基于所述第五重量和所述第六重量來確定從所述另一犧牲層去除的部分的重量。