[發明專利]電容器組件有效
| 申請號: | 202010650206.4 | 申請日: | 2020-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN112201475B | 公開(公告)日: | 2023-04-28 |
| 發明(設計)人: | 李長烈;趙志弘;李有淨;樸明俊;李種晧;崔惠英;李在玹;具賢熙 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/008 | 分類號: | H01G4/008;H01G4/232;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 何巨;金光軍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容器 組件 | ||
1.一種電容器組件,包括:
主體,包括介電層、第一內電極、第二內電極、第一覆蓋部和第二覆蓋部,所述第一內電極和所述第二內電極沿著第一方向層疊且彼此相對,所述第一覆蓋部和所述第二覆蓋部設置在所述第一內電極和所述第二內電極的最外部上且均具有小于等于25μm的厚度;
第一電極層和第二電極層,分別設置在所述主體的在與所述第一方向垂直的第二方向上的兩個外表面上并且分別連接到所述第一內電極和所述第二內電極;以及
第一鍍層和第二鍍層,所述第一鍍層設置在所述第一電極層上,所述第二鍍層設置在所述第二電極層上,
其中,在所述第一電極層與所述第一鍍層之間的邊界以及所述第二電極層與所述第二鍍層之間的邊界上設置有金屬氧化物,并且
其中,在所述第一內電極的與所述第一電極層之間的邊界和所述第二內電極的與所述第二電極層之間的邊界中的至少一者處沿著相應內電極的寬度方向設置有多個凹部,所述多個凹部包括玻璃。
2.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述金屬氧化物包括島狀物或多個金屬氧化物沉積物。
3.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述金屬氧化物包括非晶金屬氧化物。
4.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述金屬氧化物包括金屬氧化物粉末。
5.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述第一電極層和所述第二電極層中的每者包括玻璃材料。
6.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述第一電極層和所述第二電極層中的每者包括銅。
7.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述第一電極層和所述第二電極層中的每者的中央部分具有在1μm至10μm的范圍內的厚度。
8.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述鍍層包括鎳。
9.根據權利要求1-8中任一項所述的電容器組件,其中,所述第一鍍層和所述第二鍍層中的每者的中央部分具有在3μm至5μm的范圍內的厚度,并且
其中,所述金屬氧化物包括從由鋁、鎂、錳、鎳、鋰、硅、鈦、鋇及它們的合金組成的組中選擇的至少一種。
10.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述金屬氧化物的尺寸在相應鍍層與相應電極層之間的邊界的尺寸的35%至90%的范圍內。
11.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,在所述第一內電極與所述第一電極層之間的邊界和所述第二內電極與所述第二電極層之間的邊界之中,所述多個凹部設置在所述主體的在所述第一方向上的最外邊界處。
12.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述多個凹部設置在所述第一內電極與所述第一電極層之間的邊界處以及所述第二內電極與所述第二電極層之間的邊界處。
13.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述多個凹部的寬度之和在所述第一內電極的總寬度或所述第二內電極的總寬度的30%至80%的范圍內。
14.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述多個凹部具有小于等于5μm的尺寸。
15.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述第一內電極和所述第二內電極的平均厚度在0.01μm至0.4μm的范圍內。
16.根據權利要求1所述的電容器組件,其中,所述介電層的平均厚度在0.01μm至0.4μm的范圍內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星電機株式會社,未經三星電機株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010650206.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于動態地調整分區存儲器的性能的方法和設備
- 下一篇:電容器組件





