[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010649600.6
• 申請日: 2020-07-08
• 公開（公告）號: CN112530940A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 荷爾本·朵爾伯斯
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L23/528;H01L23/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底；

前側(cè)電路，設(shè)置在所述襯底的前表面上方；以及

后側(cè)電力輸送電路，設(shè)置在所述襯底的后表面上方并且包括耦合到第一電勢的第一后側(cè)電源布線，其中：

所述前側(cè)電路包括：

多個半導(dǎo)體鰭和覆蓋所述多個半導(dǎo)體鰭的底部的第一前側(cè)絕緣層；

多個掩埋電源布線，嵌入在所述第一前側(cè)絕緣層中，所述多個掩埋電源布線包括第一掩埋電源布線和第二掩埋電源布線；和

電源開關(guān)，配置為將所述第一掩埋電源布線和所述第二掩埋電源布線電連接和斷開，以及

所述第二掩埋電源布線通過穿過所述襯底的第一硅貫通孔(TSV)連接到所述第一后側(cè)電源布線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述后側(cè)電力輸送電路包括耦合到不同于所述第一電勢的第二電勢的第二后側(cè)電源，

所述多個掩埋電源布線包括第三掩埋電源布線，以及

所述第三掩埋電源布線通過第二硅貫通孔連接到所述第二后側(cè)電源布線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述多個掩埋電源布線在第一方向上延伸，以及

所述第二掩埋電源布線在所述第一方向上與所述第三掩埋電源布線分離并且對準(zhǔn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，還包括電源開關(guān)區(qū)域和邏輯電路區(qū)域，其中：

所述電源開關(guān)區(qū)域包括電源開關(guān)、所述第二掩埋電源布線和所述第一硅貫通孔，

所述邏輯電路區(qū)域包括所述第三掩埋電源布線和所述第二硅貫通孔，以及

所述第一掩埋電源布線連續(xù)設(shè)置在所述電源開關(guān)區(qū)域和所述邏輯電路區(qū)域中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述電源開關(guān)區(qū)域僅包括一個導(dǎo)電類型的鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)，以及

所述邏輯電路區(qū)域包括CMOS電路。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，沒有硅貫通孔連接到所述第一掩埋電源布線。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述多個掩埋電源布線在第一方向上延伸，以及

在平面圖中，所述第二掩埋電源布線在所述第一方向上與所述第三掩埋電源布線分離并且未對準(zhǔn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中：

在平面圖中，所述多個半導(dǎo)體鰭中的一個在所述第一方向上與所述第三掩埋電源布線對準(zhǔn)。

9.一種包括電源開關(guān)區(qū)域和邏輯電路區(qū)域的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

襯底；以及

前側(cè)電路，設(shè)置在所述襯底的前表面上方，其中：

所述前側(cè)電路包括：

多個半導(dǎo)體鰭和覆蓋所述多個半導(dǎo)體鰭的底部的第一前側(cè)絕緣層；

多個掩埋電源布線，嵌入在所述第一前側(cè)絕緣層中并且在第一方向上延伸，所述多個掩埋電源布線包括第一掩埋電源布線、將所述第一掩埋電源布線夾在中間的第二掩埋電源布線對、第三掩埋電源布線、和將所述第三掩埋電源布線夾在中間的第四掩埋電源布線對，

所述前側(cè)電路的所述電源開關(guān)區(qū)域包括：

所述第一掩埋電源布線；

所述第二掩埋電源布線對；和

電源開關(guān)，配置為將所述第一掩埋電源布線和所述第二掩埋電源布線對電連接和斷開，

所述前側(cè)電路的所述邏輯電路區(qū)域包括：

第三掩埋電源布線；和

所述第四掩埋電源布線對，

所述第二掩埋電源布線對分別與所述第四掩埋電源布線對分離，以及

所述第一掩埋電源布線和所述第三掩埋電源布線形成設(shè)置在所述電源開關(guān)區(qū)域和所述邏輯電路區(qū)域中的連續(xù)延伸的一個布線。

10.一種包括電源開關(guān)區(qū)域和邏輯電路區(qū)域的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

襯底；以及

前側(cè)電路，設(shè)置在所述襯底的前表面上方，其中：

所述前側(cè)電路包括：

多個半導(dǎo)體鰭和覆蓋所述多個半導(dǎo)體鰭的底部的第一前側(cè)絕緣層；和

多個掩埋電源布線，嵌入在所述第一前側(cè)絕緣層中并且在第一方向上延伸，所述多個掩埋電源布線包括第一掩埋電源布線和第二掩埋電源布線，

所述前側(cè)電路的所述電源開關(guān)區(qū)域包括：

第一掩埋電源布線和第二掩埋電源布線；和

電源開關(guān)，配置為將所述第一掩埋電源布線和所述第二掩埋電源布線對電連接和斷開，

所述第二掩埋電源布線延伸到所述邏輯電路區(qū)域中，

所述第一掩埋電源布線未延伸到所述邏輯電路區(qū)域中，以及

所述電源開關(guān)配置為通過所述第一掩埋電源布線導(dǎo)通和斷開對所述邏輯電路的電源。