[發明專利]一種微同軸結構的制備方法及微同軸結構

有效

• 申請號: 202010640448.5
• 申請日: 2020-07-06
• 公開（公告）號: CN111952708B
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 顧杰斌;張偉博;夏偉鋒
• 申請（專利權）人: 上海邁鑄半導體科技有限公司
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00;H01P3/06
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 賀姿;胡晶

1.一種微同軸結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：提供第一基片和第二基片，所述第一基片包括相對的第一表面和第二表面，所述第二基片包括相對的第一表面和第二表面；

S2：設置分別貫穿所述第一基片和所述第二基片的上通槽、下通槽、上腔體和下腔體；

S3：于所述第一基片和所述第二基片的外表面上沉積隔離鈍化層；

S4：在合模的所述第一基片和所述第二基片上下分別加設第一蓋板和第二蓋板；

S5：所述上通槽和所述下通槽共同形成貫通的通槽腔體結構，并且所述上腔體和所述下腔體形成內腔體結構，在所述通槽腔體結構和所述內腔體結構內分別填充金屬介質而形成通槽金屬層和腔體金屬層；

S6：移除所述第一蓋板和所述第二蓋板進行脫模操作，并將所述第一基片和所述第二基片外表面的隔離鈍化層去除；

S7：將所述第一基片和所述第二基片進行腐蝕去除操作，形成所述微同軸結構；

S8：在微同軸結構沿長度方向的兩端分別形成一階梯型端口，所述階梯型端口至少露出所述腔體金屬層，并作為所述微同軸結構的輸入端口和輸出端口。

2.根據權利要求1所述的微同軸結構的制備方法，其特征在于，所述步驟S2進一步包括：

S21：于所述第一基片的第一表面形成平行排列的第一槽孔、所述上腔體及第二槽孔，所述上腔體位于所述第一槽孔和所述第二槽孔之間，于所述第二基片的第一表面形成平行排列的第三槽孔、所述下腔體及第四槽孔，所述下腔體位于所述第三槽孔和所述第四槽孔之間；

S22：將所述第一槽孔和所述第二槽孔延伸至所述第一基片的第二表面分別形成第一通孔和第二通孔，于所述第一基片的第二表面上形成若干個沿所述上腔體長度方向平行間隔排布的第一溝槽，所述第一溝槽沿所述上腔體寬度方向橫跨所述上腔體，且所述第一溝槽的兩端分別與所述第一通孔和所述第二通孔相連通，所述第一通孔、所述第二通孔及若干個所述第一溝槽構成所述上通槽；

S23：將所述第三槽孔和所述第四槽孔延伸至所述第二基片的第二表面分別形成第三通孔和第四通孔，于所述第二基片的第二表面上形成若干個沿所述下腔體長度方向平行間隔排布的第二溝槽，所述第二溝槽沿所述下腔體寬度方向橫跨所述下腔體，且所述第二溝槽的兩端分別與所述第三通孔和所述第四通孔相連通，所述第三通孔、所述第四通孔及若干個所述第二溝槽構成所述下通槽。

3.根據權利要求1所述的微同軸結構的制備方法，其特征在于，“在所述通槽腔體結構和所述內腔體結構內分別填充金屬介質而形成通槽金屬層和腔體金屬層”進一步包括：

合模的所述第一基片、所述第二基片加設所述第一蓋板和所述第二蓋板后形成微模具結構，將所述微模具結構放置在熔融狀態的液態金屬池表面或者通過在所述第二蓋板上做通槽；

將合金通過該槽引入所述微模具結構中，使液態金屬壓入所述內腔體，或通過包括噴嘴或高壓在內的噴射/引流裝置壓入所述內腔體；

高溫熔化下金屬進行對兩個所述腔體結構流動填充操作，使流動填充類似于微流控，產生了流動填充機理。

4.根據權利要求3所述的微同軸結構的制備方法，其特征在于，還包括通過快速冷卻的方式來提高填充金屬介質的固化均勻性：將所述第一蓋板暴露在外面，并對所述第一蓋板包括吹冷氣和壓上冷卻塊在內的任意一冷卻方式進行快速冷卻。

5.根據權利要求4所述的微同軸結構的制備方法，其特征在于，還包括:

用物理或者化學沉積的方式在所述第一蓋板和所述第二蓋板表面沉積一層脫模材料，以輔助脫模。

6.根據權利要求1或2所述的微同軸結構的制備方法，其特征在于，還包括:所述第一基片和所述第二基片采用硅片、陶瓷、塑料至少其中之一在內的材料制成。

7.根據權利要求1所述的微同軸結構的制備方法，其特征在于，所述步驟S1與所述步驟S2之間還包括于所述第一基片的第一表面和第二表面形成氧化層、于所述第二基片的第一表面和第二表面形成氧化層的步驟。