[發(fā)明專利]一種類氧化硅柔性薄膜的生長方法

有效

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• 申請日: 2020-07-06
• 公開（公告）號: CN111893461B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發(fā)明（設計）人: 張宇;韓琳
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: C23C16/509
• 分類號: C23C16/509;C23C16/40;C23C16/44;H01L51/52
• 代理公司: 青島華慧澤專利代理事務所(普通合伙) 37247
• 代理人: 劉娜

1.一種類氧化硅柔性薄膜的生長方法，其特征在于，包括如下過程：

（1）樣品加載：將襯底放入PECVD的反應腔體內(nèi)，面朝反應腔體內(nèi)的射頻電極，襯底與射頻電極的距離保持在5-25mm，抽真空；

（2）薄膜生長：當反應腔體內(nèi)真空度達到設定值時，通入氧氣、六甲基硅氧烷和氮氣，然后打開射頻電源，射頻電源通過射頻電極把反應腔體內(nèi)的反應氣體激發(fā)到等離子體狀態(tài)，六甲基硅氧烷、氮氣和氧氣的等離子體發(fā)生化學沉積反應，開始在襯底上生長薄膜；通入的六甲基硅氧烷占總氣體體積的1%-10%，通入的氧氣占總氣體體積的80%-90%；

（3）當薄膜生長到期望的厚度時，關閉射頻電源，然后停止通入氧氣、六甲基硅氧烷和氮氣，關閉真空泵；再通入氮氣，當反應腔體內(nèi)的壓力達到大氣壓后，開啟頂蓋，取出生長好的薄膜，關閉頂蓋；

（4）反應腔體清洗：對反應腔體抽真空，然后通入四氟化碳氣體，打開射頻電源，利用四氟化碳等離子體刻蝕反應腔體內(nèi)在薄膜生長時沉積的類氧化硅，對反應腔體進行清洗；清洗后，先關掉射頻電源，然后關閉四氟化碳氣體。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種類氧化硅柔性薄膜的生長方法，其特征在于，所述襯底選用塑料薄膜。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種類氧化硅柔性薄膜的生長方法，其特征在于，所述襯底為聚酰亞胺或聚異戊二烯。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種類氧化硅柔性薄膜的生長方法，其特征在于，所述襯底先采用Micro-90清洗液、丙酮、異丙醇和去離子水清洗干凈。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種類氧化硅柔性薄膜的生長方法，其特征在于，步驟（2）中，當反應腔體內(nèi)真空度低于1x10^-6 Torr時，通入氧氣、六甲基硅氧烷和氮氣。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種類氧化硅柔性薄膜的生長方法，其特征在于，步驟（4）中，對反應腔體抽真空5-15分鐘，然后通入四氟化碳氣體。