[發明專利]銅銅鍵合材料的制備方法及其應用在審
| 申請號： | 202010639826.8 | 申請日： | 2020-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN111607811A | 公開（公告）日： | 2020-09-01 |
| 發明（設計）人： | 胡斌 | 申請（專利權）人： | 蘇州清飆科技有限公司 |
| 主分類號： | C25D3/56 | 分類號： | C25D3/56;C25D5/50;C25D7/12;C23F1/44;C23F1/30;C23G1/10;H01L21/603 |
| 代理公司： | 蘇州中合知識產權代理事務所(普通合伙) 32266 | 代理人： | 劉召民 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 銅銅鍵合 材料 制備 方法 及其 應用 | ||
1.一種銅銅鍵合材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S1，在至少一個待焊接物的待焊接面設置納米多孔銅泡沫層；
步驟S2，將所述待焊接物的待焊接面相對設置，并實施熱壓鍵合，使待焊接的兩側物體之間實現銅銅鍵合，得到所述銅銅鍵合材料。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1包括：
步驟S11，在至少一個所述待焊接物的待焊接面電鍍銅鋅合金，得到銅鋅合金鍍層；
步驟S12，將所述形成有銅鋅合金鍍層的待焊接物置于去合金化溶液中以去除所述銅鋅合金鍍層中的鋅，得到所述納米多孔銅泡沫層。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S11包括：
將該待焊接物置于電鍍液中在電流密度為0.1～0.8ASD條件下電鍍90～240分鐘，得到厚度為5～25μm的所述銅鋅合金鍍層。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S11中，在電鍍結束后，清洗該待焊接物以去除殘余的電鍍液，并將其置于氮氣氣氛中在180～200℃下進行退火30～120分鐘以使得所述銅鋅合金鍍層的晶粒實現重整。
5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述電鍍液中含有：
0.001～0.005mol/L的硫酸銅或其水合物五水硫酸銅；
0.1～0.3mol/L的硫酸鋅或其水合物七水硫酸鋅；
0.3～0.5mol/L的焦磷酸鉀或焦磷酸鈉。
6.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述銅鋅合金鍍層的下層形成有電鍍銅層。
7.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述去合金化溶液為1～5wt％鹽酸水溶液，其中所述鹽酸水溶液中含有0.2～0.5wt％的鹽酸穩定劑，所述步驟S12中，將所述形成有銅鋅合金鍍層的待焊接物置于所述去合金化溶液中反應2～4小時以去除所述銅鋅合金鍍層中的鋅。
8.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S12中，在去合金化結束之后，清洗該待焊接物以去除殘余的所述去合金化溶液，并將其置于氮氣氣氛中在180～200℃下進行退火30～120分鐘以去除殘余應力。
9.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，還包括如下步驟：
步驟S13，將形成有所述納米多孔銅泡沫層的待焊接物在室溫下置于活化液中處理，以對納米銅泡沫層中的銅表面進行活化處理。
10.根據權利要求1至9所述的銅銅鍵合材料的制備方法在芯片封裝中的應用。
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