[發明專利]熱處理裝置及熱處理裝置的洗凈方法在審
| 申請號: | 202010639262.8 | 申請日: | 2020-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN112397415A | 公開(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發明(設計)人: | 布施和彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 陳甜甜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 裝置 洗凈 方法 | ||
1.一種熱處理裝置,其特征在于:通過對襯底照射光而對該襯底進行加熱,且具備:
腔室,收容襯底;
晶座,在所述腔室內保持所述襯底;
連續點亮燈,對所述腔室內照射光而對保持在所述晶座的所述襯底進行加熱;
紫外線燈,對所述腔室內照射包含紫外線光的光;及
氣體供給部,向所述腔室內供給包含臭氧的氣體;且
一邊使所述襯底的處理結束后的所述腔室內成為包含臭氧的氛圍,一邊從所述紫外線燈照射包含紫外線光的光。
2.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于:
所述氣體供給部向所述腔室內供給臭氧與氧氣的混合氣體,
一邊使所述腔室內成為包含臭氧與氧氣的氛圍,一邊從所述紫外線燈照射包含紫外線光的光。
3.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于:
在利用所述連續點亮燈將所述包含臭氧的氛圍加熱的狀態下,從所述紫外線燈照射包含紫外線光的光。
4.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于:
在將虛設襯底保持于所述晶座的狀態下,從所述紫外線燈照射包含紫外線光的光。
5.根據權利要求4所述的熱處理裝置,其特征在于:
進行所述襯底的處理時所使用的熱處理配方與使用了所述虛設襯底的紫外線光照射處理中使用的處理配方相同。
6.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于:
在所述腔室內不存在襯底的狀態下,從所述紫外線燈照射包含紫外線光的光。
7.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于:
還具備排出所述腔室內的氛圍氣體的排氣部,
從所述紫外線燈照射包含紫外線光的光之后,所述排氣部從所述腔室內排出氛圍氣體。
8.根據權利要求7所述的熱處理裝置,其特征在于:
所述氣體供給部從比所述晶座更靠上方的供氣位置向所述腔室內供給包含臭氧的氣體,
所述排氣部從所述晶座與所述供氣位置之間的高度位置排出氛圍氣體。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的熱處理裝置,其特征在于:
所述紫外線燈為照射閃光的閃光燈。
10.一種熱處理裝置的洗凈方法,其特征在于:所述熱處理裝置通過對襯底照射光而對該襯底進行加熱,且所述熱處理裝置的洗凈方法具備:
處理步驟,對在腔室內保持于晶座的襯底照射光,從而對所述襯底進行加熱;
氣體供給步驟,向所述襯底的處理結束后的所述腔室內供給包含臭氧的氣體;及
紫外線光照射步驟,一邊使所述腔室內成為包含臭氧的氛圍,一邊從紫外線燈對所述腔室內照射包含紫外線光的光。
11.根據權利要求10所述的熱處理裝置的洗凈方法,其特征在于:
在所述氣體供給步驟中,向所述腔室內供給臭氧與氧氣的混合氣體,
在所述紫外線光照射步驟中,一邊使所述腔室內成為包含臭氧與氧氣的氛圍,一邊從所述紫外線燈照射包含紫外線光的光。
12.根據權利要求10所述的熱處理裝置的洗凈方法,其特征在于:
在從連續點亮燈對所述腔室內進行光照射而將所述包含臭氧的氛圍加熱的狀態下,從所述紫外線燈照射包含紫外線光的光。
13.根據權利要求10所述的熱處理裝置的洗凈方法,其特征在于:
在所述紫外線光照射步驟中,于在所述腔室內將虛設襯底保持于所述晶座的狀態下,從所述紫外線燈照射包含紫外線光的光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





