[發明專利]芯片內部結構分析方法及樣品承載裝置

在審

• 申請號: 202010639150.2
• 申請日: 2020-07-06
• 公開（公告）號: CN111812139A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 郭起玲;李亨特;張順勇;劉秋艷
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G01N23/2258
• 分類號: G01N23/2258;G01N23/2204;G01N23/20091;G01N23/00
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;高翠花

1.一種芯片內部結構分析方法，其特征在于，包括如下步驟：

采用聚焦離子束工藝對芯片進行處理，形成暴露目標層的測量樣品；

采用二次離子質譜分析方法對所述測量樣品的目標層進行分析，獲得分析數據。

2.根據權利要求1所述的芯片內部結構分析方法，其特征在于，所述目標層暴露在所述測量樣品的上表面。

3.根據權利要求1所述的芯片內部結構分析方法，其特征在于，在采用聚焦離子束工藝對芯片進行處理的步驟中，所述目標層上方的結構層被去除，所述目標層下方的結構層被保留。

4.根據權利要求1所述的芯片內部結構分析方法，其特征在于，在采用聚焦離子束工藝對芯片進行處理的步驟中，所述目標層上方及下方的結構層均被去除，僅保留所述目標層。

5.根據權利要求3所述的芯片內部結構分析方法，其特征在于，在采用二次離子質譜分析方法對所述測量樣品的目標層進行分析的步驟之前，還包括如下步驟：

對目標層進行無損分析，獲得對比數據；

在采用二次離子質譜分析方法對所述測量樣品的目標層進行分析的步驟之后，將所述分析數據與所述對比數據進行對比分析。

6.根據權利要求5所述的芯片內部結構分析方法，其特征在于，對目標層進行無損分析的方法包括X射線能量色散譜分析法或電子能量損失譜法。

7.一種樣品承載裝置，其特征在于，用于在二次離子質譜分析方法中承載樣品，所述樣品承載裝置包括：

樣品承載網格，用于承載測量樣品；

導電基板，具有上表面及下表面，所述下表面能夠與所述樣品臺接觸，所述上表面具有至少一卡槽，所述卡槽用于限位并支撐所述樣品承載網格；

固定件，用于將所述樣品承載網格相對于所述導電基板固定。

8.根據權利要求7所述的樣品承載裝置，其特征在于，所述樣品承載網格包括基體，所述基體的上表面暴露于所述卡槽，所述基體的下表面與所述卡槽底部接觸，所述基體具有鏤空部，所述鏤空部設置有至少一支撐臂，所述測量樣品能夠設置在所述支撐臂上。

9.根據權利要求8所述的樣品承載裝置，其特征在于，所述固定件包括至少一壓板及至少一緊固件，所述緊固件與所述導電基板連接，并能夠緊固所述壓板，所述壓板能夠轉動，在需要固定所述樣品承載網格時，所述壓板轉動至所述卡槽邊緣上方，所述緊固件緊固所述壓板，使所述壓板抵壓所述基體的上表面，以固定所述樣品承載網格。

10.根據權利要求9所述的樣品承載裝置，其特征在于，所述固定件還包括墊片，所述墊片設置在所述基體的上表面，所述壓板能夠抵壓而固定所述樣品承載網格，所述墊片至少在與所述測量樣品對應的位置設置為鏤空，以暴露出所述測量樣品。

11.根據權利要求8所述的樣品承載裝置，其特征在于，所述卡槽的底面被設置為，與所述測量樣品對應的區域鏤空。

12.根據權利要求8所述的樣品承載裝置，其特征在于，所述卡槽的底面被設置為，與所述測量樣品對應的區域朝向遠離所述樣品承載網格的方向凹陷。

13.根據權利要求7所述的樣品承載裝置，其特征在于，所述導電基板具有延伸部，樣品臺的固定裝置能夠作用在所述延伸部，以將所述樣品承載裝置固定在樣品臺上。

14.根據權利要求7所述的樣品承載裝置，其特征在于，所述樣品承載網格的上表面低于所述導電基板的上表面。