[發(fā)明專利]一種Tm3+

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010638544.6
• 申請日: 2020-07-06
• 公開（公告）號: CN111763987B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張沛雄;王宇皓;廖家裕;李真;尹浩;朱思祁;陳振強
• 申請（專利權(quán)）人: 暨南大學
• 主分類號: C30B29/32
• 分類號: C30B29/32;C30B15/00;C30B9/06;H01S3/16
• 代理公司: 廣州市華學知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 詹麗紅

1.一種Tm³⁺自激活激光晶體，其特征在于，所述激光晶體的化學式為ATm(MoO₄)₂，其中A選自Li；

Tm³⁺離子有雙重作用，一方面，作為激活發(fā)光離子，另一方面，作為晶體基質(zhì)的一部分；所述激光晶體為單晶體；

利用中心發(fā)射波長在760～820nm或940～980nm的半導體激光器泵浦，激光通過該Tm³⁺自激活激光晶體實現(xiàn)2微米附近的高效全固態(tài)紅外激光輸出；

所述的Tm³⁺自激活激光晶體的制備方法，包括以下步驟：

S1、將含有A原料、Tm原料和Mo原料的混合物置于混料機中均勻混合，時間不低于2小時，得到混合均勻的混合物；

S2、將上述混合均勻的混合物于不低于500℃的溫度下燒結(jié)不少于8小時，得到燒結(jié)料；

S3、當采用提拉法進行晶體生長時，將上述所述燒結(jié)料至于提拉爐內(nèi)，升溫，達到熔點以上至少100℃，將其完全融化，并且恒溫至少1小時，然后進行晶體生長，提拉速度為0.2～5.0mm/h，旋轉(zhuǎn)速度為5～50rpm；

當采用熔鹽法進行晶體生長時，將上述所述燒結(jié)料至于助熔劑生長爐，采用的助熔劑為Li₂MoO₄-MoO₃，升溫，達到熔點以上至少50℃，將其完全融化，并且恒溫至少1小時，然后進行晶體生長，降溫速度為0.2～2.0℃/day，旋轉(zhuǎn)速度為0.6～5rpm，生長時間為1～4周。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Tm³⁺自激活激光晶體，其特征在于，制備方法中，所述A原料選自A的碳酸鹽或A的硝酸鹽；

所述Tm原料選自Tm的氧化物或Tm的硝酸鹽；

所述Mo原料選自Mo的氧化物或鉬酸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Tm³⁺自激活激光晶體，其特征在于，制備方法中，所述含有A原料、Tm原料和Mo原料的混合物中，A原料、Tm原料和Mo原料的摩爾比為：

A：Tm：Mo＝1：1：2～2.5；

其中，A原料的摩爾數(shù)以A原料中所包含A元素的摩爾數(shù)計；Tm原料的摩爾數(shù)以Tm原料中所包含Tm元素的摩爾數(shù)計；Mo原料的摩爾數(shù)以Mo原料中所包含Mo元素的摩爾數(shù)計。