[發明專利]封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010638514.5
• 申請日: 2020-07-06
• 公開（公告）號: CN111769814A
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 王礦偉;唐兆云;賴志國;王家友;楊清華
• 申請（專利權）人: 蘇州漢天下電子有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H3/02;H03H9/02
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅;陳軼蘭

1.一種封裝結構，包括：

多個諧振腔，在襯底中；

堆疊結構，在多個諧振腔上，包括下電極、功能層和上電極；

封裝層，至少在堆疊結構上，包括重疊了堆疊結構的空腔；

電連接結構，在多個諧振腔周圍，至少穿過封裝層與下電極電連接。

2.根據權利要求1的封裝結構，其中，堆疊結構用于體聲波諧振器，功能層包括壓電材料，優選地壓電材料包括ZnO、AlN、BST(鈦酸鍶鋇)、BT(鈦酸鋇)、PZT(鋯鈦酸鉛)、PBLN(鈮酸鉛鋇鋰)、PT(鈦酸鉛)，進一步優選地壓電材料中摻雜稀土元素；任選地，堆疊結構用于體聲波濾波器，功能層包括Si、Ge、SiGe、SiC、SiGeC。

3.根據權利要求1的封裝結構，其中，封裝層包括第一封裝層和第二封裝層；優選地，第一封裝層和/或第二封裝層包括非晶硅、微晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低k材料，并優選地第一封裝層和第二封裝層材料相同。

4.根據權利要求1的封裝結構，其中，電連接結構包括接觸墊、鍵合層和接觸塞；任選地，下電極、上電極、接觸墊的任意一個包括選自Mo、W、Ru、Al、Cu、Ti、Ta、In、Zn、Zr、Fe、Mg的金屬單質或金屬合金、或者這些金屬的導電氧化物、或導電氮化物，以及上述材料的任意組合；任選地，鍵合層的導電性和柔性優于下電極，例如選自Au、Ag、Pt、Pd的貴金屬及其合金；任選地，接觸塞材質包括選自Co、Ni、Cu、Al、Pd、Pt、Ru、Re、Mo、Ta、Ti、Hf、Zr、W、Ir、Eu、Nd、Er、La的金屬單質、或這些金屬的合金以及這些金屬的導電氮化物或導電氧化物。

5.一種封裝結構的制造方法，包括步驟：

在襯底中的多個諧振腔上形成堆疊結構，包括下電極、功能層和上電極；

在堆疊結構上形成犧牲層圖形；

在犧牲層圖形上形成第一封裝層；

穿過第一封裝層，形成多個釋放孔，暴露犧牲層圖形；

通過多個釋放孔，至少部分地去除犧牲層圖形，在第一封裝層中留下重疊了堆疊結構的空腔；

在多個諧振腔周圍，形成電連接結構，至少穿過封裝層與下電極電連接。

6.根據權利要求5的封裝結構的制造方法，其中，犧牲層圖形包括在襯底中心的第一部分，在襯底周圍的第二部分，以及從第一分部向周圍延伸的第三部分；優選地，多個釋放孔暴露所述第三部分；優選地，采用低溫沉積工藝形成犧牲層圖形；任選地，犧牲層材質為氧化硅基材料，諸如摻硼氧化硅(BSG)、摻磷氧化硅(PSG)、未摻雜氧化硅(USG)、多孔氧化硅，優選地采用HF基腐蝕液去除犧牲層圖形。

7.根據權利要求5的封裝結構的制造方法，其中，去除犧牲層圖形之后進一步包括在第一封裝層上形成第二封裝層，以填充多個釋放孔；任選地，第一封裝層和/或第二封裝層包括非晶硅、微晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低k材料，優選地第一封裝層和第二封裝層材質相同。

8.根據權利要求5的封裝結構的制造方法，其中，電連接結構包括接觸墊、鍵合層和接觸塞；任選地，下電極、上電極、接觸墊的任意一個包括選自Mo、W、Ru、Al、Cu、Ti、Ta、In、Zn、Zr、Fe、Mg的金屬單質或金屬合金、或者這些金屬的導電氧化物、或導電氮化物，以及上述材料的任意組合；任選地，鍵合層的導電性和柔性優于下電極，例如選自Au、Ag、Pt、Pd的貴金屬及其合金；任選地，接觸塞材質包括選自Co、Ni、Cu、Al、Pd、Pt、Ru、Re、Mo、Ta、Ti、Hf、Zr、W、Ir、Eu、Nd、Er、La的金屬單質、或這些金屬的合金以及這些金屬的導電氮化物或導電氧化物。