[發明專利]一種增強密集圖形光刻分辨率的方法

有效

• 申請號: 202010638023.0
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN111856888B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 許箭;秦龍;耿文練;花雷
• 申請（專利權）人: 儒芯微電子材料（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海劍秋知識產權代理有限公司 31382
• 代理人: 楊飛

1.一種增強密集圖形光刻分辨率的方法，其特征在于，包括：

執行膠圖案化工藝，從而形成第一掩模圖案；

執行膠層處理工藝；

再次執行所述膠圖案化工藝，從而形成第二掩模圖案，所述第二掩模圖案中的圖形與所述第一掩模圖案中的圖形間隔設置；

其中，

所述膠圖案化工藝包括：

在襯底上依次形成第一膠層和第二膠層；

通過光刻曝光工藝在所述第二膠層上形成曝光區和非曝光區；

采用第一溶劑去除所述曝光區和所述第一膠層的部分區域，或者先采用第二溶劑去除所述曝光區，再采用第三溶劑去除所述第一膠層的部分區域，從而在所述第一膠層形成第一圖案，在所述第二膠層形成第二圖案，所述第一圖案是在所述第二圖案基礎上縮進后的圖案；

采用第四溶劑去除所述非曝光區；其中，

所述第一膠層采用可顯影膠，所述可顯影膠適于在堿性顯影液中溶解，并且耐有機顯影液和光刻膠溶劑溶解；所述可顯影膠可通過烘烤溫度和時間改變其在堿性顯影液中的溶解速率；所述可顯影膠是具有聚甲基戊二酰亞胺結構、馬來酰亞胺-丙烯酸共聚物、丙烯酰胺-丙烯酸共聚物或聚酰亞胺結構的材料；

所述第二膠層采用光刻膠；所述第一溶劑和所述第三溶劑采用堿性顯影液；所述第二溶劑采用適于去除所述曝光區的有機顯影液；所述第四溶劑采用適于去除所述非曝光區的光刻膠溶劑；

所述膠層處理工藝為烘烤工藝，用于使所述第一膠層耐所述第一溶劑或所述第三溶劑溶解。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，兩次膠圖案化工藝分別使用不同的掩模版。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述可顯影膠采用金屬剝離工藝中所使用的金屬剝離膠，或采用可顯影的底部抗反射涂層材料。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膠層采用G線、I線、KrF、ArF、ArF浸沒式、EUV或電子束光刻膠。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膠層采用酚醛樹脂-重氮萘醌類光刻膠、化學放大類光刻膠、主鏈斷裂型光刻膠或含金屬氧化物類光刻膠。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膠層采用適于堿性顯影液或有機顯影液進行顯影的正性光刻膠。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第四溶劑采用丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚、乳酸乙酯、丙酮、環戊酮、環己酮中的一種或幾種；

或采用苯甲醚或二氯苯。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述襯底上涂覆所述可顯影膠并進行烘烤后形成所述第一膠層。