[發(fā)明專利]基于增材制造的變體梯度點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010637445.6 | 申請日： | 2020-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN111895015B | 公開（公告）日： | 2022-07-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 柏龍;龔程;陳曉紅;張俊芳;周曉霞;孫園喜;彭艷;羅均;蒲華燕;謝少榮 | 申請（專利權(quán)）人： | 重慶大學(xué);上海大學(xué) |
| 主分類號： | F16F7/00 | 分類號： | F16F7/00;F16S5/00 |
| 代理公司： | 深圳國聯(lián)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44465 | 代理人： | 王天興 |
| 地址： | 400030 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 制造 變體 梯度 點(diǎn)陣 結(jié)構(gòu) | ||
1.基于增材制造的變體梯度點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括重復(fù)層疊并相互連接的四個變體梯度點(diǎn)陣層；各層變體梯度點(diǎn)陣層包括重復(fù)排列并相互連接的二十四個變體梯度單胞列；各個變體梯度單胞列包括沿單一方向重復(fù)排列并相互連接的四個點(diǎn)陣單胞；所述點(diǎn)陣單胞由體心立方原始點(diǎn)陣單胞沿兩個方向進(jìn)行尺寸延拓形成的變體梯度單胞列整體為四棱錐臺結(jié)構(gòu)，二十四個變體梯度單胞列沿環(huán)向重復(fù)排列后形成圓環(huán)結(jié)構(gòu)的變體梯度點(diǎn)陣層，四個上述變體梯度點(diǎn)陣層重復(fù)層疊后形成變體梯度點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于增材制造的變體梯度點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述原始點(diǎn)陣單胞的桿徑為1mm，其空間尺寸為5mm×5mm×5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于增材制造的變體梯度點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)選用工程塑料PA2200為原料，采用激光燒結(jié)工藝制作。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于增材制造的變體梯度點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述激光燒結(jié)的激光功率為30w，掃描速度為5m/s，掃描間距60μm，粉末沉積厚度100μm。
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