[發明專利]光波導結構及制造方法、光波導模塊、光交換設備及系統

有效

• 申請號: 202010637223.4
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN113885130B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 周敏;趙臻青;孫春
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122;G02B6/293;G02B6/35;G02B6/13
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 顏晶

1.一種光波導結構，其特征在于，包括：

層疊設置的至少兩個光波導，所述至少兩個光波導包括第一光波導和第二光波導，所述第一光波導和所述第二光波導位于不同層；

所述第一光波導和第二光波導之間設置有第一光波導通道，所述第一光波導通道的兩端分別與所述第一光波導和所述第二光波導物理連接；

所述第一光波導通道的延伸方向與所述第一光波導所在平面傾斜，且所述第一光波導通道的延伸方向與所述第二光波導所在平面傾斜。

2.根據權利要求1所述的光波導結構，其特征在于，沿所述第一光波導和所述第二光波導的層疊方向，所述第一光波導和所述第二光波導之間設置有介質層，所述第一光波導通道位于所述介質層中，所述介質層的折射率小于所述第一光波導通道的折射率。

3.根據權利要求1或2所述的光波導結構，其特征在于，所述第一光波導通道為離子摻雜通道。

4.根據權利要求1或2所述的光波導結構，其特征在于，所述第一光波導通道的折射率與所述第一光波導的折射率的差值的范圍為0.5％～50％，和/或，所述第一光波導通道的折射率與所述第二光波導的折射率的差值的范圍為0.5％～50％。

5.根據權利要求1或2所述的光波導結構，其特征在于，所述光波導結構為光芯片。

6.根據權利要求1或2所述的光波導結構，其特征在于，所述第一光波導通道通過全反射實現所述第一光波導和所述第二光波導之間的光信號傳輸。

7.根據權利要求1或2所述的光波導結構，其特征在于，所述第一光波導位于所述第二光波導的上層；所述光波導結構還包括：

與所述第一光波導連接的光開關，所述光開關用于進行光信號的選路，使得所述光信號沿所述第一光波導傳輸或沿所述第二光波導傳輸。

8.根據權利要求7所述的光波導結構，其特征在于，所述光波導結構包括至少兩個光開關，所述第一光波導上連接的光開關的數量與所述第一光波導上連接的第一光波導通道的數量相同，所述第一光波導連接的第一光波導通道與所述第一光波導上的光開關一一交替排列。

9.根據權利要求8所述的光波導結構，其特征在于，所述光波導結構包括至少兩個第二光波導，所述第二光波導的數量與所述第一光波導通道的數量相同。

10.根據權利要求1、2、8或9所述的光波導結構，其特征在于，沿所述第一光波導和所述第二光波的層疊方向，所述第一光波導的第一區域和所述第二光波導的第二區域在平行于第一光波導和第二光波導的一個平面上的投影重疊，所述第一光波導通道連接所述第一區域和所述第二區域。

11.根據權利要求1、2、8或9所述的光波導結構，其特征在于，所述至少兩個光波導還包括第三光波導，所述第三光波導和所述第一光波導、所述第二光波導分別位于不同層，所述第三光波導和所述第二光波導之間設置有第二光波導通道，所述第二光波導通道的兩端分別與所述第二光波導和所述第三光波導物理連接。

12.根據權利要求1、2、8或9所述的光波導結構，其特征在于，所述第一光波導和第二光波導之間的間隙的厚度范圍為500nm～5um。

13.根據權利要求1、2、8或9所述的光波導結構，其特征在于，所述第一光波導通道的橫截面的長度或寬度的范圍為500nm～5um，所述橫截面垂直于所述第一光波導和所述第二光波導的層疊方向。

14.根據權利要求1、2、8或9所述的光波導結構，其特征在于，所述第一光波導通道的延伸方向與所連接的任意一個光波導所在平面所成的角度范圍為45°～135°。