[發(fā)明專利]準(zhǔn)集總元件極寬帶帶通濾波器及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010637141.X | 申請(qǐng)日: | 2020-07-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111755786B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-12-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 代金豪;吳云;袁躍峰;王佳;王旭;李國(guó)強(qiáng);李春光;張雪強(qiáng);孫亮;何豫生 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院物理研究所 |
| 主分類號(hào): | H01P1/212 | 分類號(hào): | H01P1/212;H01P1/203;H01P11/00 |
| 代理公司: | 北京市英智偉誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11521 | 代理人: | 劉丹妮;姚望舒 |
| 地址: | 100190 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 準(zhǔn)集總 元件 寬帶 帶通濾波器 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種準(zhǔn)集總元件極寬帶帶通濾波器,其特征在于,所述準(zhǔn)集總元件極寬帶帶通濾波器由三層結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)薄膜制成,超導(dǎo)薄膜的底層為接地超導(dǎo)層,中層為電介質(zhì),頂層超導(dǎo)層刻有微帶電路;
其中,所述頂層超導(dǎo)層微帶電路為由準(zhǔn)集總的折線電感、片狀電容、插指電容和輸入輸出饋線按照低通濾波電路結(jié)構(gòu)連接再經(jīng)過(guò)變換而成的微帶濾波器;并且,
所述微帶電路變換為:將微帶低通電路中部分片狀電容替換為插指電容,從而在不增加元件個(gè)數(shù)的情況下將微帶低通電路轉(zhuǎn)變?yōu)閹娐贰?/p>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)集總元件極寬帶帶通濾波器,其特征在于,所述低通濾波電路的結(jié)構(gòu)為:串聯(lián)電感與并聯(lián)電容交替排列形成的可以阻隔高頻信號(hào)通過(guò)的濾波電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的準(zhǔn)集總元件極寬帶帶通濾波器,其特征在于,所述低通濾波電路的階數(shù)為2階~99階。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)集總元件極寬帶帶通濾波器,其特征在于,所述變換為集總電路變換和微帶電路變換。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的準(zhǔn)集總元件極寬帶帶通濾波器,其特征在于,所述集總電路變換為:先將高通電容插入低通濾波電路,再將電路中的T型電容網(wǎng)絡(luò)等效替換為π型電容網(wǎng)絡(luò)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的準(zhǔn)集總元件極寬帶帶通濾波器,其特征在于,在所述變換中,插入高通電容能向低通濾波電路中引入一個(gè)低頻截止頻率從而將低通電路變換為帶通電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的準(zhǔn)集總元件極寬帶帶通濾波器的制備方法,其特征在于,所述微帶濾波器的制備方法包括以下步驟:
先利用低通濾波電路的結(jié)構(gòu)連接折線電感和片狀電容,構(gòu)成微帶低通濾波器,再將部分片狀電容替換為插指電容,構(gòu)成微帶帶通濾波器。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述的準(zhǔn)集總的折線電感和片狀電容的電參數(shù)利用低通濾波電路和傳輸函數(shù)計(jì)算得到;和/或
所述的準(zhǔn)集總的插指電容的電參數(shù)由公式和要求的截止頻率計(jì)算得到。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述用于計(jì)算準(zhǔn)集總元件電參數(shù)的傳輸函數(shù)選自以下一種或多種:切比雪夫函數(shù)、巴特沃茲函數(shù)、橢圓函數(shù)、準(zhǔn)橢圓函數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述微帶濾波器通過(guò)圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)在高溫超導(dǎo)薄膜材料上制造出所述微帶電路、折線電感、片狀電容和/或插指電容。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法,其特征在于,所述高溫超導(dǎo)薄膜材料選自以下一種或多種:釔鋇銅氧、鏑鋇銅氧、汞鋇銅氧、鉈鋇鈣銅氧。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法,其特征在于,所述高溫超導(dǎo)薄膜材料生長(zhǎng)于襯底上,所述的高溫超導(dǎo)薄膜材料的襯底選自以下一種或多種:氧化鎂、氧化鋁、鋁酸鑭。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述折線電感的線寬和縫寬為1μm~10mm和/或所述折線電感的彎折數(shù)量為0個(gè)~99個(gè);
所述片狀電容的長(zhǎng)度和寬度為1mm~50mm;和/或
所述插指電容的線寬和縫寬為1μm~10μm和/或所述插指電容的插指數(shù)量為2個(gè)~99個(gè)。
14.一種通信系統(tǒng),其特征在于,所述通信系統(tǒng)包括如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的準(zhǔn)集總元件極寬帶帶通濾波器或按照權(quán)利要求7至13中任一項(xiàng)所述的制備方法而制得的準(zhǔn)集總元件極寬帶帶通濾波器。
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