[發明專利]半導體存儲器裝置

在審

• 申請號: 202010636931.6
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN112768450A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 成慧真;樸志孰;崔盛皓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 陳亞男;尹淑梅

1.一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：

多個位線結構，在基底上包括沿第一橫向方向平行地延伸的位線；以及

多個掩埋接觸件和多個接合墊，所述多個掩埋接觸件在基底上填充所述多個位線結構之間的空間的下部，所述多個接合墊填充所述多個位線結構之間的空間的上部并在所述多個位線結構上延伸，

其中，所述多個接合墊具有六邊形陣列結構，并且所述多個接合墊之中的彼此相鄰的第一接合墊、第二接合墊和第三接合墊的各自的頂表面的中心點通過不等邊三角形連接。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述多個接合墊在垂直于第一橫向方向的第二橫向方向上以直線布置，并且在第一橫向方向上以之字形布置。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，

其中，第一接合墊和第二接合墊沿垂直于第一橫向方向的第二橫向方向布置，

其中，連接第一接合墊的頂表面的中心點與第二接合墊的頂表面的中心點和第三接合墊的頂表面的中心點的兩條邊之間的第一內角不同于連接第二接合墊的頂表面的中心點與第一接合墊的頂表面的中心點和第三接合墊的頂表面的中心點的兩條邊之間的第二內角。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，其中，第一內角大于60°，并且第二內角小于60°。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，

其中，第三接合墊的頂表面的中心點定位為在垂直于第一橫向方向的第二橫向方向上與中心延伸線分開，并且

其中，中心延伸線從連接第一接合墊和第二接合墊的各自的頂表面的中心點的邊的中心沿第一橫向方向延伸。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，

其中，第一接合墊和第二接合墊的各自的頂表面的中心點之間的距離為3F，第三接合墊的頂表面的中心點定位為在第二橫向方向上與中心延伸線分開0至1.5F之間的距離，并且

其中，F表示特征尺寸。

7.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中，第三接合墊的頂表面的中心點定位為在第二橫向方向上與中心延伸線分開2nm至12nm的距離。

8.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中，第一接合墊和第三接合墊的各自的頂表面的中心點之間的距離小于3F，并且第二接合墊和第三接合墊的各自的頂表面的中心點之間的距離大于3F。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述多個接合墊中的每個的頂表面具有盤形形狀。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，所述半導體儲存器裝置還包括：

多個存儲節點，位于所述多個接合墊上，

其中，所述多個存儲節點具有六邊形陣列結構，并且所述多個存儲節點之中的彼此相鄰的第一存儲節點、第二存儲節點和第三存儲節點的各自的頂表面的中心點通過等邊三角形連接。

11.一種半導體存儲器裝置，所述半導體儲存器裝置包括：

基底，多個有源區限定在基底中；

多條字線，與所述多個有源區交叉并在第一橫向方向上平行地延伸；

多個位線結構，在基底上包括位線，位線在垂直于第一橫向方向的第二橫向方向上平行地延伸；

多個掩埋接觸件和多個接合墊，其中，所述多個掩埋接觸件在基底上填充所述多個位線結構之間的空間的下部，并且所述多個接合墊填充所述多個位線結構之間的空間的上部并在所述多個位線結構上延伸；以及

多個存儲節點，位于所述多個接合墊上，

其中，所述多個接合墊具有六邊形陣列結構，并且所述多個接合墊之中的三個相鄰的接合墊的各自的頂表面的中心點通過不等邊三角形連接，并且

其中，所述多個存儲節點具有六邊形陣列結構，并且所述多個存儲節點之中的三個相鄰的存儲節點的各自的頂表面的中心點通過等邊三角形連接。