[發(fā)明專利]一種浸入式細(xì)胞密度傳感器及細(xì)胞密度檢測(cè)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010636576.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111855487A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 毛淦明;劉曉慶;顧雨春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 國(guó)健呈諾生物科技(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N9/24 | 分類號(hào): | G01N9/24;G01N21/3577;G01N21/359;G01N21/51 |
| 代理公司: | 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212 | 代理人: | 陳曉斌 |
| 地址: | 102600 北京市大興區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 浸入 細(xì)胞 密度 傳感器 檢測(cè) 方法 | ||
1.一種浸入式細(xì)胞密度傳感器,其特征在于,包括安裝筒(1)、紅外發(fā)射裝置(2)、第一紅外接收裝置(3)和控制器,所述安裝筒(1)的中部向內(nèi)凹陷形成凹槽(10),所述安裝筒(1)的兩端被密封,所述紅外發(fā)射裝置(2)和所述第一紅外接收裝置(3)均安裝在所述安裝筒(1)內(nèi),并分別位于所述凹槽(10)的兩側(cè),所述紅外發(fā)射裝置(2)和所述第一紅外接收裝置(3)相對(duì)分布,所述凹槽(10)兩側(cè)槽壁上分別設(shè)有與所述紅外發(fā)射裝置(2)和所述第一紅外接收裝置(3)對(duì)應(yīng)的透光區(qū)域(11),所述紅外發(fā)射裝置(2)和所述第一紅外接收裝置(3)分別與所述控制器電連接;
所述控制器用于控制所述紅外發(fā)射裝置(2)發(fā)出近紅外光;
所述紅外發(fā)射裝置(2)用于發(fā)射近紅外光,所述近紅外光穿過(guò)細(xì)胞懸液傳輸至所述第一紅外接收裝置(3);
所述第一紅外接收裝置(3)用于將接收的近紅外光轉(zhuǎn)換為第一電信號(hào)后傳輸至所述控制器;
所述控制器還用于處理所述第一電信號(hào),獲得所述細(xì)胞懸液的細(xì)胞密度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浸入式細(xì)胞密度傳感器,其特征在于,所述透光區(qū)域(11)包括第一透光區(qū)域(111),所述紅外發(fā)射裝置(2)包括紅外燈珠(21)和遮光筒(22),所述紅外燈珠(21)安裝在所述遮光筒(22)內(nèi),所述遮光筒(22)的一端固定,所述遮光筒(22)的另一端與所述安裝筒(1)抵接,所述紅外燈珠(21)發(fā)出的近紅外光通過(guò)所述遮光筒(22)從所述第一透光區(qū)域(111)射出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的浸入式細(xì)胞密度傳感器,其特征在于,所述遮光筒(22)上開(kāi)設(shè)有透光口(23),所述透光口(23)的上方設(shè)置有第二紅外接收裝置(4),所述第二紅外接收裝置(4)與所述控制器電連接;
所述第二紅外接收裝置(4)用于接收所述紅外發(fā)射裝置(2)發(fā)出的近紅外光,并將所述近紅外光轉(zhuǎn)換為第二電信號(hào)傳輸至所述控制器;
所述控制器用于根據(jù)所述第二電信號(hào)確定所述近紅外光的光強(qiáng),并根據(jù)所述光強(qiáng)控制所述紅外發(fā)射裝置(2)發(fā)射近紅外光。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的浸入式細(xì)胞密度傳感器,其特征在于,還包括第一電路板(5),所述第一電路板(5)與所述遮光筒(22)遠(yuǎn)離所述第一透光區(qū)域(111)的一端抵接,所述紅外燈珠(21)通過(guò)控制電路與所述控制器電連接,所述紅外燈珠(21)和所述控制電路均設(shè)置在所述第一電路板(5)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的浸入式細(xì)胞密度傳感器,其特征在于,所述控制電路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第一RC并聯(lián)電路、第一等效電阻、第二等效電阻、第一電容、第二電容和等效電容,所述第一MOS管為N溝道耗盡型MOS管,所述第一MOS管的基極通過(guò)第一電阻與控制器電連接,并通過(guò)所述第一RC并聯(lián)電路接地,所述第一MOS管的源極接地,所述第一MOS管的漏極通過(guò)所述第二電阻與所述第二MOS管的基極電連接,所述第二MOS管為N溝道耗盡型MOS管,所述第二MOS管的源極與9V直流電源電連接,還通過(guò)所述第三電阻與所述第二MOS管的基極電連接,所述第二MOS管的漏極通過(guò)所述第四電阻與所述紅外燈珠(21)的負(fù)極電連接,所述紅外燈珠(21)的正極與9V直流電源電連接,所述第五電阻與所述紅外燈珠(21)并聯(lián),所述紅外燈珠(21)的負(fù)極還通過(guò)所述第一等效電阻與所述第三MOS管的漏極電連接,所述第三MOS管的基極通過(guò)所述第六電阻與所述第一放大器的輸出端電連接,并通過(guò)所述第一電容接地,所述第三MOS管的源極與所述第一放大器的同相輸入端電連接,所述第一放大器的同相輸入端還通過(guò)所述第二等效電阻接地,所述第一放大器的反向輸入端與模數(shù)轉(zhuǎn)換處理器電連接,并通過(guò)所述第二電容接地,所述模數(shù)轉(zhuǎn)換處理器與所述控制器電連接。
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