[發明專利]半導體存儲器設備和具有半導體存儲器設備的存儲器系統

在審

• 申請號: 202010636570.5
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN112509616A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 趙正顯;周成勛;崔一韓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C7/04
• 分類號: G11C7/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種半導體存儲器設備，包括：

溫度傳感器，被配置為感測所述半導體存儲器設備的內部溫度并且生成溫度信號；以及

溫度代碼存儲單元，被配置為響應于當對應于特定命令的操作被執行時生成的溫度代碼寫入控制信號接收所述溫度信號，生成對應于所述溫度信號的操作溫度代碼，將所述操作溫度代碼與先前存儲的溫度代碼進行比較，將所述操作溫度代碼和所述先前存儲的溫度代碼中的更大的溫度代碼存儲為最大溫度代碼，以及響應于溫度代碼讀取控制信號將所述最大溫度代碼輸出到外部源。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器設備，其中，所述溫度代碼存儲單元包括：

模數轉換器，被配置為響應于所述溫度代碼寫入控制信號接收所述溫度信號，并且執行模數轉換操作以生成所述操作溫度代碼；

第一比較器，被配置為響應于所述溫度代碼寫入控制信號將所述操作溫度代碼與所述先前存儲的溫度代碼進行比較，以生成輸出溫度代碼；

脈沖發生器，被配置為響應于所述溫度代碼讀取控制信號生成第一讀取脈沖信號；以及

寄存器，被配置為響應于所述溫度代碼寫入控制信號將所述輸出溫度代碼存儲為所述最大溫度代碼，并且響應于所述第一讀取脈沖信號將所述最大溫度代碼輸出到所述外部源。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器設備，其中，所述脈沖發生器被配置為響應于所述溫度代碼讀取控制信號生成第二讀取脈沖信號而不是所述第一讀取脈沖信號，并且

所述溫度代碼存儲單元還包括：

第二比較器，被配置為響應于所述溫度代碼寫入控制信號接收從所述寄存器輸出的所述最大溫度代碼，并且將所述最大溫度代碼與指定至少兩個溫度范圍的至少一個溫度范圍指定代碼進行比較以生成至少兩個編程信號，所述至少兩個編程信號指示所述最大溫度代碼屬于所述至少兩個溫度范圍中的哪一個；以及

編程單元，被配置為響應于所述至少兩個編程信號對指示所述最大溫度代碼所屬的溫度范圍的溫度范圍代碼進行編程，并且輸出所述溫度范圍代碼。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器設備，其中，所述脈沖發生器響應于溫度代碼讀取選擇信號生成所述第一讀取脈沖信號或所述第二讀取脈沖信號，并且

所述溫度代碼存儲單元響應于所述溫度代碼讀取選擇信號向所述外部源輸出所述最大溫度代碼或所述溫度范圍代碼。

5.根據權利要求3所述的半導體存儲器設備，還包括：

內部時鐘信號發生器，被配置為從所述外部源接收外部時鐘信號并且生成內部時鐘信號；

命令和地址發生器，被配置為響應于所述外部時鐘信號從所述外部源接收命令和地址，對包括在所述命令和地址中的命令信號解碼以生成活動命令、讀取命令、寫入命令或模式設置命令，將包括在所述命令和地址中的、與所述活動命令一起施加的地址信號生成為行地址，將包括在所述命令和地址中的、與所述讀取命令或所述寫入命令一起施加的所述地址信號生成為列地址，以及將包括在所述命令和地址中的、與所述模式設置命令一起施加的所述地址信號生成為模式設置代碼；

模式設置寄存器，被配置為響應于所述模式設置命令接收所述模式設置代碼，以設置讀取時延、寫入時延和突發長度；

時延控制器，被配置為當所述特定命令是所述讀取命令時，使用所述讀取時延、所述內部時鐘信號或所述突發長度生成讀取時延控制信號和所述溫度代碼寫入控制信號，或者當所述特定命令是寫入命令時，使用所述寫入時延、所述內部時鐘信號或所述突發長度生成寫入時延控制信號和所述溫度代碼寫入控制信號；

行解碼器，被配置為對所述行地址解碼，以生成多個字線選擇信號；

列解碼器，被配置為對所述列地址解碼，以生成多個列選擇信號；

存儲器單元陣列，包括多個存儲器單元，并且被配置為將輸入數據存儲在通過所述多個字線選擇信號和所述多個列選擇信號選擇的存儲器單元中，或者從所選擇的存儲器單元生成輸出數據；

數據讀取單元，被配置為響應于所述讀取時延控制信號接收從所述存儲器單元陣列輸出的所述輸出數據，并且通過數據端子將所述輸出數據輸出到所述外部源；以及

數據寫入單元，被配置為響應于所述寫入時延控制信號通過所述數據端子接收從所述外部源施加的數據，并且將所述輸入數據輸出到所述存儲器單元陣列。