[發(fā)明專利]石墨烯場效應(yīng)管及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010635911.7 | 申請日: | 2020-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN111739803B | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張金松;于承霖;李紹銳;高志廷;王永超;李耀鑫;王亞愚 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號: | H01L21/336 | 分類號: | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 100084*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 石墨 場效應(yīng) 及其 制造 方法 | ||
1.一種石墨烯場效應(yīng)管的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
獲得帶有石墨烯層的襯底,所述石墨烯層位于所述襯底上;
在所述石墨烯層上制備源極電極和漏極電極;
在所述襯底上依次形成第一承載層和頂蓋層,所述第一承載層中設(shè)置的與所述石墨烯層對應(yīng)的通孔和所述石墨烯層、所述頂蓋層形成承載空腔,在確定所述承載空腔中已經(jīng)注入液態(tài)氫離子電解質(zhì)之后,密封所述承載空腔,得到石墨烯場效應(yīng)管,
其中,所述石墨烯場效應(yīng)管的柵極電極與所述液態(tài)氫離子電解質(zhì)接觸;
其中,在所述襯底上依次形成第一承載層和頂蓋層,所述第一承載層中設(shè)置的與所述石墨烯層對應(yīng)的通孔和所述石墨烯層、所述頂蓋層形成承載空腔,在確定所述承載空腔中已經(jīng)注入液態(tài)氫離子電解質(zhì)之后,密封所述承載空腔,得到石墨烯場效應(yīng)管,包括:
在所述襯底上依次形成第一承載層和頂蓋層,所述第一承載層中設(shè)置的與所述石墨烯層對應(yīng)的通孔和所述石墨烯層、所述頂蓋層形成承載空腔;
通過所述承載空腔上的通道注入所述液態(tài)氫離子電解質(zhì);
對所述第一承載層和所述頂蓋層進(jìn)行處理,密封所述液態(tài)氫離子電解質(zhì),得到所述石墨烯場效應(yīng)管,
其中,所述通道包括以下任一種:所述第一承載層和所述頂蓋層之間的縫隙、所述第一承載層上的孔、所述頂蓋層上與所述通孔位置對應(yīng)的孔;
其中,在所述柵極電極和所述源極電極之間施加一個(gè)正的柵極電壓時(shí),產(chǎn)生的電場會驅(qū)動(dòng)所述液態(tài)氫離子電解質(zhì)中的氫離子在所述石墨烯層的表面聚集,在所述石墨烯層和所述液態(tài)氫離子電解質(zhì)之間形成電荷,石墨烯層的電阻會被調(diào)制;
當(dāng)所述柵極電壓增加超過氫化電壓且小于第一電壓值時(shí),所述石墨烯層的石墨烯通道由導(dǎo)電狀態(tài)逐漸變?yōu)榻^緣狀態(tài),所述漏極電極和所述源極電極之間的源漏電流急劇下降;
當(dāng)所述柵極電壓從第二電壓值逐漸下降至第三電壓值時(shí),所述石墨烯通道由絕緣狀態(tài)逐漸恢復(fù)到導(dǎo)電狀態(tài),所述源漏電流逐漸增大,并在所述柵極電壓達(dá)到第四電壓值時(shí),所述石墨烯通道達(dá)到完全打開狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述襯底上依次形成第一承載層和頂蓋層,所述第一承載層中設(shè)置的與所述石墨烯層對應(yīng)的通孔和所述石墨烯層、所述頂蓋層形成承載空腔,在確定所述承載空腔中已經(jīng)注入液態(tài)氫離子電解質(zhì)之后,密封所述承載空腔,得到石墨烯場效應(yīng)管,包括:
在所述第一承載層中、或者在所述第一承載層與所述頂蓋層之間,放置預(yù)先制備好的柵極電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述石墨烯層上制備所述源極電極和漏極電極的同時(shí),在所述襯底上制備柵極電極,所述柵極電極與所述石墨烯層不接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法還包括以下至少一個(gè)步驟:
在所述石墨烯層上制備所述漏極電極、所述源極電極以及在所述襯底上制備所述柵極電極之前,在所述石墨烯層和所述襯底上制備粘附層,所述粘附層位于所述柵極電極與所述襯底、所述源極電極與所述石墨烯層、所述漏極電極與所述石墨烯層之間;并且/或者
在所述石墨烯層上制備所述源極電極和所述漏極電極之后,在所述源極電極和所述漏極電極上制備阻擋層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述石墨烯層為單層或雙層結(jié)構(gòu),所述襯底包括硬質(zhì)襯底或柔性襯底,在所述襯底為柔性襯底時(shí),所述石墨烯場效應(yīng)管的材料為柔性材料,
所述柵極電極的材料包括鉑。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





