[發明專利]空穴傳輸層用材料、空穴注入層用材料以及有機化合物

在審

• 申請號: 202010635376.5
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN112186112A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 渡部剛吉;久保田朋廣;植田藍莉;瀨尾哲史;大澤信晴;久保田優子
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;C07C211/61;C09K11/06
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 劉多益;葛臻翼

1.一種包含單胺化合物的空穴傳輸層用材料，

其中，所述單胺化合物具有：

第一芳香基；

第二芳香基；以及

第三芳香基，

所述第一芳香基、所述第二芳香基及所述第三芳香基與所述單胺化合物的氮原子鍵合，

并且，包含所述單胺化合物的層的折射率為1.5以上且1.75以下。

2.一種包含單胺化合物的空穴傳輸層用材料，

其中，所述單胺化合物具有：

第一芳香基；

第二芳香基；以及

第三芳香基，

所述第一芳香基、所述第二芳香基及所述第三芳香基與所述單胺化合物的氮原子鍵合，

并且，在分子內的總碳原子數中只由sp³雜化軌道形成鍵合的碳原子的比率為23％以上且55％以下。

3.一種包含單胺化合物的空穴傳輸層用材料，

其中，所述單胺化合物具有：

第一芳香基；

第二芳香基；以及

第三芳香基，

所述第一芳香基、所述第二芳香基及所述第三芳香基與所述單胺化合物的氮原子鍵合，

并且，在通過¹H-NMR測量所述單胺化合物的結果中小于4ppm的信號的積分值超過4ppm以上的信號的積分值。

4.根據權利要求2或3所述的空穴傳輸層用材料，

其中包含所述單胺化合物的層的折射率為1.5以上且1.75以下。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的空穴傳輸層用材料，

其中所述單胺化合物至少具有一個芴骨架。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的空穴傳輸層用材料，

其中所述第一芳香基、所述第二芳香基和所述第三芳香基中的一個或多個為芴骨架。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的空穴傳輸層用材料，

其中所述單胺化合物的分子量為400以上且1000以下。

8.一種包含單胺化合物的空穴傳輸層用材料，

其中，所述單胺化合物的氮原子與第一芳香基、第二芳香基及第三芳香基鍵合，

所述第一芳香基及所述第二芳香基分別獨立地具有1至3的苯環，

所述第一芳香基和所述第二芳香基中的一方或雙方具有一個或多個的碳原子只由sp³雜化軌道形成鍵合的碳原子數為1至12的烴基，

包含在所述第一芳香基或所述第二芳香基中的所述烴基中的碳原子的總數為6以上，

包含在所述第一芳香基及所述第二芳香基中的所有的所述烴基中的碳原子的總數為8以上，

并且，所述第三芳香基為取代或未取代的單環或者取代或未取代的3環以下的稠環。

9.根據權利要求8所述的空穴傳輸層用材料，

其中所述第三芳香基在環中碳原子數為6至13。

10.根據權利要求8所述的空穴傳輸層用材料，

其中包含所述單胺化合物的層的折射率為1.5以上且1.75以下。

11.根據權利要求8所述的空穴傳輸層用材料，

其中所述第三芳香基具有芴骨架。

12.根據權利要求8所述的空穴傳輸層用材料，

其中所述第三芳香基為芴骨架。

13.根據權利要求8所述的空穴傳輸層用材料，

其中包含在所述第一芳香基及所述第二芳香基中的所有的所述烴基中的只由sp³雜化軌道形成鍵合的碳原子的總數為36以下。